[發(fā)明專(zhuān)利]靜電卡盤(pán)及靜電卡盤(pán)的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980052004.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-27 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112534565A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小野浩司 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 京瓷株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/683 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司: | 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 吳克鵬 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜電 卡盤(pán) 制造 方法 | ||
本公開(kāi)的靜電卡盤(pán)(1)具備板狀的陶瓷基體(2)和靜電吸附用電極(3)。上述陶瓷基體(2)包含主成分為氧化鋁的多個(gè)粒子。該多個(gè)粒子包含具有鎂原子和鋯原子的粒子。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及靜電卡盤(pán)及靜電卡盤(pán)的制造方法。
背景技術(shù)
作為靜電卡盤(pán),已知有例如PVD裝置或CVD裝置等成膜裝置或曝光裝置等所使用的靜電卡盤(pán)。另外,例如已知有日本特開(kāi)2008-251737號(hào)公報(bào)(以下,也稱(chēng)為專(zhuān)利文獻(xiàn)1)中記載的靜電卡盤(pán)。以往,在PVD裝置、CVD裝置或離子鍍裝置等成膜裝置、曝光裝置或蝕刻裝置等中,為了高精度地固定硅晶片等被加工物,而使被加工物吸附于被精加工成平坦且平滑的板狀體的表面。作為該吸附手段,使用利用靜電吸附力的靜電卡盤(pán)。
該靜電卡盤(pán)在包含陶瓷的板狀的基體的一個(gè)主面(一個(gè)最寬的面)具有試樣保持面。靜電卡盤(pán)在基體的內(nèi)部或另一個(gè)主面(另一個(gè)最寬的面)具備靜電吸附用電極。關(guān)于靜電卡盤(pán),對(duì)靜電吸附用電極施加DC電壓,從而在與被加工物之間顯現(xiàn)由介電極化產(chǎn)生的庫(kù)侖力、或者由微小的漏電流產(chǎn)生的約翰遜·拉別克力等靜電吸附力。靜電卡盤(pán)能夠使被加工物吸附固定于試樣保持面。
需要說(shuō)明的是,在靜電卡盤(pán)上,按照從與被加工物的周邊部對(duì)應(yīng)的試樣保持面的周邊部自如突出的方式,設(shè)置有用于使被加工物從試樣保持面脫離的升降銷(xiāo)。
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)的靜電卡盤(pán)具備陶瓷基體和靜電吸附用電極,上述陶瓷基體為板狀,在一個(gè)主面具有試樣保持面,上述靜電吸附用電極設(shè)置于該陶瓷基體的內(nèi)部或另一個(gè)主面,上述陶瓷基體包含主成分為氧化鋁的多個(gè)粒子,該多個(gè)粒子包含具有鎂原子和鋯原子的粒子。
附圖說(shuō)明
圖1是本公開(kāi)的靜電卡盤(pán)的俯視圖。
圖2是本公開(kāi)的靜電卡盤(pán)和被加工物的縱截面圖。
圖3是表示圖1所示的陶瓷基體中的具有鎂原子、鋯原子的氧化鋁粒子的存在形態(tài)以及該粒子內(nèi)的上述原子的存在區(qū)域的圖。
圖4是表示本公開(kāi)的靜電卡盤(pán)的另一例的縱截面圖。
具體實(shí)施方式
以下,使用附圖對(duì)本公開(kāi)的靜電卡盤(pán)1的例子進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖1和圖2所示的靜電卡盤(pán)1具備陶瓷基體2和靜電吸附用電極3。具體而言,陶瓷基體2也可以形成為具有與硅晶片等被加工物A相同程度的大小的圓板狀,且在該陶瓷基體2的內(nèi)部埋設(shè)有靜電吸附用電極3。
并且,如圖1所示,也可以在陶瓷基體2的一個(gè)主面設(shè)置多個(gè)凸部6,凸部6各自的突端具有平滑的面,構(gòu)成試樣保持面。需要說(shuō)明的是,凸部6的數(shù)量不限于圖中示出的圖案的數(shù)量。
靜電吸附用電極3與導(dǎo)線8連接,靜電吸附用電極3可以介由導(dǎo)線8與直流電源9連接。另一方面,吸附于試樣保持面的被加工物A也可以與接地(日文:アース)直接或利用等離子體進(jìn)行電連接。由此,能夠在靜電吸附用電極3與被加工物A之間顯現(xiàn)靜電吸附力。其結(jié)果是,能夠?qū)⒈患庸の顰吸附固定。
在陶瓷基體2的中央部可以設(shè)置從另一個(gè)主面(圖的下表面)貫通至一個(gè)主面(圖的上表面)的氣體導(dǎo)入孔7。另外,凸部6與凸部6之間成為氣體流路5,該氣體流路5與氣體導(dǎo)入孔7可以連通。
在將加工物A吸附于試樣保持面時(shí),能夠從氣體導(dǎo)入孔7向由被加工物和氣體流路5構(gòu)成的空間供給氦氣等冷卻氣體。由此,能夠提高試樣保持面與被加工物A之間的熱傳遞性,均勻地控制被加工物的溫度分布。
需要說(shuō)明的是,如圖1所示,靜電卡盤(pán)1可以沿著陶瓷基體2的一個(gè)主面的外周形成有周壁4,而使凸部6、被加工物A和氣體流路5所成的空間成為封閉的空間。由此,能夠防止從氣體導(dǎo)入孔7供給的冷卻氣體大量泄漏到外部。該周壁4可以根據(jù)目的設(shè)置,也可以不設(shè)置。另外,周壁4可以與陶瓷基體2一體地形成,也可以分體地形成。
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