[發(fā)明專利]靜電卡盤及靜電卡盤的制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980052004.5 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112534565A | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小野浩司 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 京瓷株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/683 | 分類號(hào): | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 吳克鵬 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 靜電 卡盤 制造 方法 | ||
1.一種靜電卡盤,其具備陶瓷基體和靜電吸附用電極,所述陶瓷基體為板狀,在一個(gè)主面具有試樣保持面,所述靜電吸附用電極設(shè)置于該陶瓷基體的內(nèi)部或另一個(gè)主面,所述陶瓷基體包含主成分為氧化鋁的多個(gè)粒子,該多個(gè)粒子包含具有鎂原子和鋯原子的粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤,其中,所述陶瓷基體中,鋯的含量C2相對(duì)于鎂的含量C1之比C2/C1為1以上,其中C1和C2的單位為mol。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的靜電卡盤,其中,所述陶瓷基體中,所述C2相對(duì)于鋁的含量C3之比C2/C3為0.01以下,其中C2和C3的單位為mol。
4.一種靜電卡盤用基板的制造方法,其特征在于,包括如下工序:
通過溶膠-凝膠法制作氧化鋁-氧化鋯粉末的工序;
將所述氧化鋁-氧化鋯粉末與氧化鋁粉末混合來制作陶瓷材料的工序;以及
將所述陶瓷材料燒成的工序。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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