[發(fā)明專利]正丁烷單步驟雙脫氫為丁二烯的催化劑在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980051650.X | 申請日： | 2019-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN112533699A | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 穆罕默德·H·海德爾;瓦利德·K·阿爾達(dá)赫勞斯;托塞夫·艾哈邁德 | 申請（專利權(quán)）人： | 沙特基礎(chǔ)全球技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | B01J23/89 | 分類號： | B01J23/89;B01J23/00;B01J23/78;B01J37/03;B01J37/06;B01J37/08;B01J37/02;B01J23/745;B01J23/62;B01J21/06;B01J21/14;C07C5/48;C07C11/167;C07C5/3 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 劉明海;胡彬 |
| 地址： | 荷蘭貝亨*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 丁烷 步驟 脫氫 丁二烯 催化劑 | ||
1.一種能夠催化丁烷的雙脫氫的催化劑，所述催化劑包含沉積在鐵-堿土金屬-硅氧化物載體上的第13列或第14列金屬或其氧化物和貴金屬。
2.如權(quán)利要求1所述的催化劑，其中第13列是沉積在鐵-鎂-硅氧化物(FeMgSiO)載體上的氧化鎵和貴金屬。
3.如權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的催化劑，其中所述催化劑不包括鉬或鉍。
4.如權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的催化劑，其中所述貴金屬包含鈀、鉑、金、釕、銠、其氧化物或其合金。
5.如權(quán)利要求4所述的催化劑，其中所述貴金屬為鈀(Pd)。
6.如權(quán)利要求5所述的催化劑，其中第13列金屬是鎵(Ga)。
7.如權(quán)利要求6所述的催化劑，其中Ga:Pd摩爾比為0.01至0.5。
8.如權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述催化劑可以以至少20mol.％，優(yōu)選35mol.％，更優(yōu)選至少50mol.％的選擇性催化丁烷的雙脫氫。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述催化劑由在FeMgSiO載體上的鎵和鈀金屬、其氧化物或其合金組成。
10.一種生產(chǎn)丁二烯的方法，所述方法包含：使含丁烷的進(jìn)料料流與如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的催化劑在足以使丁烷雙脫氫并產(chǎn)生包括1,3-丁二烯的產(chǎn)物料流的條件下接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述條件包含450℃至600℃，優(yōu)選500℃至600℃的溫度。
12.如權(quán)利要求10至11中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述條件包含1000h-1至3000h-1，優(yōu)選為1500h-1至2000h-1的重時(shí)空速。
13.如權(quán)利要求10至11中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述條件包含0.1MPa至1MPa的壓力。
14.如權(quán)利要求10至11中任一項(xiàng)所述的方法，其中正丁烷體積與催化劑重量之比為100:1、50:1、20:1或10:1。
15.如權(quán)利要求10至11中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)化率為至少4mol.％。
16.如權(quán)利要求10至11中任一項(xiàng)所述的方法，其中在550℃至575℃下對丁二烯的選擇性為至少50mol.％。
17.如權(quán)利要求10至11中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述反應(yīng)在不存在氫氣和氧氣的情況下完成。
18.一種制備如權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的催化劑的方法，所述方法包含：
獲得硅前體材料、堿土金屬前體材料和鐵前體材料的溶液；
向步驟(a)溶液中加入堿性溶液以沉淀二氧化硅/堿土金屬/鐵材料；
使沉淀的材料與氧化劑接觸以除去前體材料；
熱處理沉淀材料以生產(chǎn)Fe-堿土金屬-二氧化硅載體材料，其中鐵和堿土金屬分散在整個(gè)二氧化硅中；
在Fe-堿土金屬-二氧化硅載體材料上沉積第13列或第14列金屬前體材料，然后在負(fù)載的第13列或第14列材料上沉積貴金屬前體以形成負(fù)載的雙金屬催化劑前體材料；和
在適合于形成所述的催化劑的條件下熱處理負(fù)載的雙金屬催化劑前體材料。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中所述鐵前體材料是檸檬酸鐵。
20.如權(quán)利要求18至19中任一項(xiàng)所述的方法，其進(jìn)一步包含分離步驟(b)、(c)或(f)沉淀的材料并在100℃至150℃，優(yōu)選在130℃的溫度下干燥步驟(b)、(c)或(f)沉淀的材料，和在300℃至550℃，優(yōu)選450℃下煅燒步驟(f)干燥的材料。
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