[發(fā)明專利]涂布裝置及涂布方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980051182.6 | 申請日: | 2019-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN112514038A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 五十川良則 | 申請(專利權(quán))人: | 龍云株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/368 | 分類號: | H01L21/368;B05C5/02;B05C15/00;B05D1/26;B05D3/12;C30B7/02;H01L21/208 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 趙晶;李范烈 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 方法 | ||
一種涂布裝置,具備:處理室;噴嘴,在該處理室內(nèi)沿涂布對象面相對移動并向該涂布對象面涂布結(jié)晶材料的溶液;內(nèi)壓調(diào)整部,調(diào)整處理室的內(nèi)壓;及控制部。并且,控制部在通過噴嘴進(jìn)行溶液的涂布的情況下,利用內(nèi)壓調(diào)整部調(diào)整處理室的內(nèi)壓,從而使涂布于涂布對象面的溶液依次干燥而使結(jié)晶材料結(jié)晶生長。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的一實施方式涉及通過溶液的涂布而形成結(jié)晶膜的技術(shù)。
背景技術(shù)
作為形成結(jié)晶膜的技術(shù),提出了通過涂布半導(dǎo)體材料的溶液并使其干燥,從而使溶液中的半導(dǎo)體材料結(jié)晶生長而形成半導(dǎo)體膜的技術(shù)。例如,專利文獻(xiàn)1公開了如下技術(shù):在噴嘴的噴出部與基板的表面(涂布對象面)之間形成有溶液的積液的狀態(tài)下使噴嘴移動,從而在積液的后方形成涂膜,并使該涂膜依次干燥而使半導(dǎo)體材料結(jié)晶生長。
更具體而言,專利文獻(xiàn)1提出了如下方案:在噴嘴主體部設(shè)置懸突部,從而在噴嘴主體部的下端面與基板的表面之間形成由這些面夾持的空間,在該空間內(nèi)形成積液。并且,通過形成這樣的空間而使該空間內(nèi)(即,積液附近)由從積液蒸發(fā)的溶劑充滿而成為溶劑氣氛,由此,抑制溶劑從積液持續(xù)蒸發(fā)而成為過飽和狀態(tài)的情況(即,在該積液內(nèi)半導(dǎo)體材料發(fā)生結(jié)晶化的情況)。而且,保持這樣的積液的狀態(tài)而使噴嘴移動,從而在積液的后方形成涂膜,并使涂膜相對地移動至從溶劑氣氛被釋放的位置(從上述空間脫出的位置),由此,在該位置使溶劑從涂膜依次蒸發(fā)而使半導(dǎo)體材料結(jié)晶生長。這樣,專利文獻(xiàn)1要提高形成的半導(dǎo)體膜的結(jié)晶取向度(在半導(dǎo)體膜等結(jié)晶膜中表示結(jié)晶的方向?qū)R成何種程度的程度(取向的程度)。以下同樣)。
在先技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本專利第5891956號公報
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的課題
然而,在專利文獻(xiàn)1中,為了避免積液成為過飽和狀態(tài)而必須高精度地控制上述空間內(nèi)的氣氛。另一方面,在半導(dǎo)體材料結(jié)晶生長的位置(即,涂膜從上述空間脫出的位置),對于氣氛、溫度等并未進(jìn)行特別的控制。因此,盡管半導(dǎo)體材料結(jié)晶生長的位置處的氣氛、溫度等的變化對半導(dǎo)體膜的狀態(tài)(結(jié)晶取向度等)造成大的影響,但是無法應(yīng)對該位置處的氣氛、溫度等的變化。由此,在專利文獻(xiàn)1公開的技術(shù)中,難以穩(wěn)定地形成結(jié)晶取向度高的半導(dǎo)體膜。
因此,本發(fā)明的至少一個實施方式的目的是在通過溶液的涂布而形成結(jié)晶膜的技術(shù)中,穩(wěn)定地形成結(jié)晶取向度高的結(jié)晶膜。
用于解決課題的方案
本發(fā)明的一實施方式的涂布裝置具備:處理室;噴嘴,在該處理室內(nèi)沿涂布對象面相對移動并向該涂布對象面涂布結(jié)晶材料的溶液;內(nèi)壓調(diào)整部,調(diào)整處理室的內(nèi)壓;及控制部。并且,控制部在通過噴嘴進(jìn)行溶液的涂布的情況下,利用內(nèi)壓調(diào)整部調(diào)整處理室的內(nèi)壓,從而使涂布于涂布對象面的溶液依次干燥而使結(jié)晶材料結(jié)晶生長。
根據(jù)上述涂布裝置,通過調(diào)整處理室的內(nèi)壓,能夠調(diào)整涂布于涂布對象面的溶液的干燥速度。具體而言,通過降低處理室的內(nèi)壓,能夠促進(jìn)溶液中的溶劑的蒸發(fā)而增大干燥速度。而且,通過提高處理室的內(nèi)壓,能夠抑制溶液中的溶劑的蒸發(fā)而減小干燥速度。并且,通過將干燥速度調(diào)整成所希望的速度,在控制下,能夠提高結(jié)晶膜的結(jié)晶取向度。
發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明的一實施方式,能夠穩(wěn)定地形成結(jié)晶取向度高的結(jié)晶膜。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明的一實施方式的涂布裝置的概念圖,也示出處理室的內(nèi)側(cè)的結(jié)構(gòu)。
圖2是從使噴嘴相對于基板相對移動的方向(規(guī)定方向D1)觀察到的涂布裝置的概念圖,也示出處理室的內(nèi)側(cè)的結(jié)構(gòu)。
圖3是表示利用涂布裝置執(zhí)行的控制處理(涂布處理)的流程圖。
圖4是表示在涂布時形成的積液(彎液面)的狀態(tài)的概念圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于龍云株式會社,未經(jīng)龍云株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980051182.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:電子控制裝置
- 下一篇:用于移除巖石的具有固定切割器的井下工具
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





