[發明專利]涂布裝置及涂布方法

在審

• 申請號: 201980051182.6
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號: CN112514038A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 五十川良則
• 申請（專利權）人: 龍云株式會社
• 主分類號: H01L21/368
• 分類號: H01L21/368;B05C5/02;B05C15/00;B05D1/26;B05D3/12;C30B7/02;H01L21/208
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 趙晶;李范烈

1.一種涂布裝置，具備：

處理室；

噴嘴，在所述處理室內沿涂布對象面相對移動并向該涂布對象面涂布結晶材料的溶液；

內壓調整部，調整所述處理室的內壓；及

控制部，在通過所述噴嘴進行所述溶液的涂布的情況下，利用所述內壓調整部調整所述處理室的內壓，從而使涂布于所述涂布對象面的所述溶液依次干燥而使所述結晶材料結晶生長。

2.根據權利要求1所述的涂布裝置，其中，

所述控制部在通過所述噴嘴進行所述溶液的涂布的情況下，利用所述內壓調整部使所述處理室的內壓下降至所述處理室內成為真空狀態為止。

3.根據權利要求1或2所述的涂布裝置，其中，

所述控制部具有所述處理室的內壓與所述噴嘴的相對速度之間的相關數據，

所述控制部在調整了所述處理室的內壓及所述噴嘴的相對速度中的任一方時，將另一方調整成為根據調整后的所述一方的值并基于所述相關數據而導出的值。

4.根據權利要求3所述的涂布裝置，其中，

所述相關數據是將滿足形成的結晶膜的結晶取向度成為規定水準以上這樣的條件的所述處理室的內壓與所述噴嘴的相對速度之間的相關進行了數值化而得到的數據。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的涂布裝置，其中，

所述噴嘴是具有狹縫狀的噴出口的狹縫噴嘴，

所述噴出口的長度方向是與所述涂布對象面平行且與所述噴嘴相對移動的方向垂直的方向。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的涂布裝置，其中，

從開始通過所述噴嘴進行所述溶液的涂布起，所述控制部在規定期間使所述噴嘴以第一相對速度相對移動，

之后，所述控制部使所述噴嘴以與所述第一相對速度不同的第二相對速度相對移動。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的涂布裝置，其中，

所述結晶材料是半導體材料。

8.一種涂布方法，其中，

調整在結晶膜的形成中使用的處理室的內壓，

在所述處理室內使噴嘴沿著涂布對象面相對移動并向該涂布對象面涂布結晶材料的溶液，

由此，使涂布于所述涂布對象面的所述溶液依次干燥而使所述結晶材料結晶生長。