[發(fā)明專利]空間可變晶圓偏置功率系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980049348.0
• 申請日: 2019-07-29
• 公開（公告）號: CN112514254A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 肯尼斯·米勒;迪麥西·津巴;約翰·卡斯凱德;詹姆斯·普拉格;艾麗亞·斯勞伯道夫
• 申請（專利權(quán)）人: 鷹港科技有限公司
• 主分類號: H03K3/01
• 分類號: H03K3/01;H03K3/017;H03K3/64;H03K3/78;H01J37/02
• 代理公司: 上海君立衡知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31389
• 代理人: 黃慶

1.一種具有等離子體負(fù)載的功率系統(tǒng)，包括：

第一高電壓脈沖發(fā)生器，其輸出第一多個(gè)脈沖，所述第一多個(gè)脈沖具有大于大約1kV的第一電壓、小于大約1μs的第一脈沖寬度和大于大約20kHz的第一脈沖重復(fù)頻率；

第二高電壓脈沖發(fā)生器，其輸出第二多個(gè)脈沖，所述第二多個(gè)脈沖具有大于大約1kV的第二電壓、小于大約1μs的第二脈沖寬度和大于大約20kHz的第二脈沖重復(fù)頻率；

腔室；

第一電極，其部署在所述腔室內(nèi)，并且與所述第一高電壓脈沖發(fā)生器電耦合；和

第二電極，其與所述第一電極相鄰且部署在所述腔室內(nèi)，并且與所述第二高電壓脈沖發(fā)生器電耦合。

2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述腔室包括晶圓和等離子體之一或二者，所述等離子體以10pF至1μF之間的電容與所述第一電極和所述第二電極以電容方式耦合。

3.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，跨越所述晶圓的表面的電場在25％以內(nèi)是均勻的。

4.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一電極與所述晶圓的對應(yīng)部分之間的耦合電容大于100pF；并且，所述第二電極與所述晶圓對應(yīng)部分之間的電容大于100pF。

5.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述腔室包括等離子體，所述等離子體的離子加速到晶圓上。

6.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一高電壓脈沖發(fā)生器產(chǎn)生大于大約1kV的所述第一電極上的電極電壓，并且，所述第二高電壓脈沖發(fā)生器產(chǎn)生大于大約1kV的所述第二電極上的電極電壓。

7.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一電壓相對于所述第二電壓的比率小于2比1，或者反之亦然。

8.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一電極和所述第二電極之一或二者是軸向?qū)ΨQ的。

9.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一電極具有第一平坦表面，并且所述第二電極具有第二平坦表面，以使得所述第二平坦表面是所述第一平坦表面和所述第二平坦表面的總和的25％。

10.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一高電壓脈沖發(fā)生器和所述第二高電壓脈沖發(fā)生器二者包括電阻輸出級。

11.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一高電壓脈沖發(fā)生器和所述第二高電壓脈沖發(fā)生器二者包括能量恢復(fù)電路。

12.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，獨(dú)立于所述第二多個(gè)脈沖的參數(shù)控制所述第一多個(gè)脈沖的參數(shù)。

13.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一脈沖重復(fù)頻率和所述第二脈沖重復(fù)頻率相對于彼此是同相的。

14.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述第一電極與所述第二電極之間的耦合電容小于大約10nF。

15.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中：

所述第一電極包括：

盤形狀，

中心軸，和

外徑；以及

所述第二電極包括：

盤形狀，其具有中心孔徑，所述第一電極部署在所述中心孔徑內(nèi)；

中心軸，其與所述第一電極的所述中心軸對準(zhǔn)，

孔徑直徑，和

外徑。