[發明專利]覆金屬層疊板和電路基板

有效

• 申請號: 201980049115.0
• 申請日: 2019-07-17
• 公開（公告）號: CN112469560B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 須藤芳樹;鈴木智之;安達康弘
• 申請（專利權）人: 日鐵化學材料株式會社
• 主分類號: B32B15/088
• 分類號: B32B15/088;B32B15/08;C08G73/10;H05K1/03;H05K3/38
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊文娟;臧建明

1.一種覆金屬層疊板，包括：具有包含至少四層以上的聚酰亞胺層的層疊結構的樹脂層疊體；以及層疊于所述樹脂層疊體的至少單面的金屬層，且其特征在于，

所述樹脂層疊體滿足以下i)～iv)的條件：

i)整體的厚度為76μm～152μm的范圍內；

ii)包含與所述金屬層接觸的第一聚酰亞胺層、以及直接或間接地層疊于所述第一聚酰亞胺層上的第二聚酰亞胺層；

iii)所述第二聚酰亞胺層的厚度相對于所述樹脂層疊體的整體的厚度的比率為70％～97％的范圍內；

iv)基于下述數式(a)計算出的作為表示介電特性的指標的E₁值未滿0.009：

E₁＝√ε₁×Tanδ₁···(a)

此處，ε₁表示通過分離介電質共振器進行測定的10GHz下的介電常數，Tanδ₁表示通過分離介電質共振器進行測定的10GHz下的介電正切，并且

所述樹脂層疊體以其厚度方向的中心為基準，具有與厚度方向對稱的層結構，且位于厚度方向的中心的層或者鄰接于所述厚度方向的中心的兩層為玻璃化溫度為360℃以下的熱塑性聚酰亞胺層。

2.根據權利要求1所述的覆金屬層疊板，其中構成所述第二聚酰亞胺層的聚酰亞胺是使酸酐成分與二胺成分反應而獲得的非熱塑性聚酰亞胺，且包含四羧酸殘基及二胺殘基，且

相對于所述四羧酸殘基的100摩爾份，

由3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(BPDA)所衍生的四羧酸殘基(BPDA殘基)及由1,4-亞苯基雙(偏苯三甲酸單酯)二酐(TAHQ)所衍生的四羧酸殘基(TAHQ殘基)中的至少一種、以及由均苯四甲酸二酐(PMDA)所衍生的四羧酸殘基(PMDA殘基)及由2,3,6,7-萘四羧酸二酐(NTCDA)所衍生的四羧酸殘基(NTCDA殘基)中的至少一種的合計為80摩爾份以上，

所述BPDA殘基及所述TAHQ殘基中的至少一種、與所述PMDA殘基及所述NTCDA殘基中的至少一種的摩爾比{(BPDA殘基+TAHQ殘基)/(PMDA殘基+NTCDA殘基)}處于0.4～1.5的范圍內。

3.根據權利要求2所述的覆金屬層疊板，其中相對于所有二胺成分，所述二胺成分含有80摩爾％以上的4,4'-二氨基-2,2'-二甲基聯苯。

4.根據權利要求1所述的覆金屬層疊板，其中所述樹脂層疊體具有自所述金屬層側起分別至少依次層疊有所述第一聚酰亞胺層、所述第二聚酰亞胺層的結構。

5.一種電路基板，是對如權利要求1所述的覆金屬層疊板的所述金屬層進行配線電路加工而成。