[發明專利]基板處理系統和基板處理方法

在審

• 申請號: 201980048400.0
• 申請日: 2019-07-18
• 公開（公告）號: CN112514035A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 大川理
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/304
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

一種基板處理系統，對基板進行處理，所述基板處理系統具有：蝕刻裝置，其對基板進行蝕刻；以及控制裝置，其控制所述蝕刻裝置，所述蝕刻裝置具有：液供給噴嘴，其向基板供給處理液；厚度測量部，其與所述液供給噴嘴一體地設置，并且以不與基板接觸的方式測量該基板的厚度；以及移動機構，其使所述液供給噴嘴和所述厚度測量部在水平方向上移動，所述控制裝置控制所述液供給噴嘴、所述厚度測量部以及所述移動機構，以一邊使所述液供給噴嘴和所述厚度測量部在水平方向上移動一邊通過該厚度測量部來測量基板的厚度。

技術領域

本公開涉及一種基板處理系統和基板處理方法。

背景技術

在專利文獻1中公開了一種對半導體基板上的薄膜進行濕蝕刻的蝕刻裝置。蝕刻裝置具備藥液噴出噴嘴、光纜以及光學式膜厚測定器。藥液噴出噴嘴向半導體基板上噴出濕蝕刻用的藥液。光纜的至少一部分處于藥液噴出噴嘴內，并且光纜以如下方式設置：引導光以使光通過藥液并到達半導體基板表面，并且接受通過了藥液的、來自半導體基板表面的反射光。光學式膜厚測定器根據從反射光得到的信息來測定半導體基板上的蝕刻對象膜的膜厚。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開平11-354489號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開所涉及的技術在基板面內掌握蝕刻處理中的基板的厚度，并且使該蝕刻處理的面內均勻性提高。

用于解決問題的方案

本公開的一個方式是一種對基板進行處理的基板處理系統，具有：蝕刻裝置，其對基板進行蝕刻；以及控制裝置，其控制所述蝕刻裝置，其中，所述蝕刻裝置具有：液供給噴嘴，其向基板供給處理液；厚度測量部，其與所述液供給噴嘴一體地設置，并且以不與基板接觸的方式測量該基板的厚度；以及移動機構，其使所述液供給噴嘴和所述厚度測量部在水平方向上移動，所述控制裝置控制所述液供給噴嘴、所述厚度測量部以及所述移動機構，以以一邊使所述液供給噴嘴和所述厚度測量部在水平方向上移動一邊通過該厚度測量部來測量基板的厚度。

發明的效果

根據本公開，本公開所涉及的技術能夠在基板面內掌握蝕刻處理中的基板的厚度，并且使該蝕刻處理的面內均勻性提高。

附圖說明

圖1是示意性地表示第一實施方式所涉及的晶圓處理系統的結構的概要的俯視圖。

圖2是表示重疊晶圓的結構的概要的側視圖。

圖3是表示濕蝕刻裝置的結構的概要的縱剖截面圖。

圖4是表示濕蝕刻裝置的結構的概要的橫剖截面圖。

圖5是表示液供給噴嘴的結構的概要的縱剖截面圖。

圖6是表示晶圓處理的主要工序的流程圖。

圖7是晶圓處理的主要工序的說明圖。

圖8是示意性地表示第二實施方式所涉及的晶圓處理系統的結構的概要的俯視圖。

圖9是表示其它實施方式所涉及的濕蝕刻裝置的結構的概要的縱剖截面圖。

圖10是表示其它實施方式所涉及的濕蝕刻裝置的結構的概要的縱剖截面圖。

具體實施方式

在半導體器件的制造工序中，針對在表面形成有多個電子電路等器件的半導體晶圓(以下稱作晶圓)，對該晶圓的背面進行磨削來使晶圓變薄。