[發明專利]基板處理系統和基板處理方法

在審

• 申請號: 201980048400.0
• 申請日: 2019-07-18
• 公開（公告）號: CN112514035A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 大川理
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/304
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種基板處理系統，對基板進行處理，所述基板處理系統具有：

蝕刻裝置，其對基板進行蝕刻；以及

控制裝置，其控制所述蝕刻裝置，

其中，所述蝕刻裝置具有：

液供給噴嘴，其向基板供給處理液；

厚度測量部，其與所述液供給噴嘴一體地設置，并且以不與基板接觸的方式測量該基板的厚度；以及

移動機構，其使所述液供給噴嘴和所述厚度測量部在水平方向上移動，

所述控制裝置控制所述液供給噴嘴、所述厚度測量部以及所述移動機構，以一邊使所述液供給噴嘴和所述厚度測量部在水平方向上移動一邊通過該厚度測量部來測量基板的厚度。

2.根據權利要求1所述的基板處理系統，其特征在于，

所述處理液為蝕刻液，

在通過從所述液供給噴嘴供給的所述蝕刻液對基板進行的蝕刻處理中，所述控制裝置控制所述液供給噴嘴、所述厚度測量部以及所述移動機構，以通過所述厚度測量部來測量基板的厚度。

3.根據權利要求1所述的基板處理系統，其特征在于，

所述處理液為沖洗液，

在通過從所述液供給噴嘴供給的所述沖洗液對基板進行的、蝕刻處理后的沖洗處理中，所述控制裝置控制所述液供給噴嘴、所述厚度測量部以及所述移動機構，以通過所述厚度測量部來測量基板的厚度。

4.根據權利要求1所述的基板處理系統，其特征在于，

所述處理液包括蝕刻液和沖洗液，

在通過從所述液供給噴嘴供給的所述蝕刻液對基板進行的蝕刻處理中以及通過從所述液供給噴嘴供給的所述沖洗液對基板進行的、蝕刻處理后的沖洗處理中，所述控制裝置控制所述液供給噴嘴、所述厚度測量部以及所述移動機構，以通過所述厚度測量部來測量基板的厚度。

5.根據權利要求4所述的基板處理系統，其特征在于，

使所述液供給噴嘴在所述蝕刻液和所述沖洗液之間進行切換并進行供給，

在所述蝕刻處理和所述沖洗處理的各處理中，通過共同的所述厚度測量部來測量基板的厚度。

6.根據權利要求4所述的基板處理系統，其特征在于，

所述液供給噴嘴包括供給所述蝕刻液的第一液供給噴嘴和供給所述沖洗液的第二液供給噴嘴，

在所述第一液供給噴嘴和所述第二液供給噴嘴分別設置有所述厚度測量部。

7.根據權利要求1至6中的任一項所述的基板處理系統，其特征在于，

所述蝕刻裝置具有溫度測量部，該溫度測量部測量基板的溫度，

所述控制裝置基于所述溫度測量部的溫度測量數據來對由所述厚度測量部進行的基板的厚度的測量進行校正。

8.根據權利要求1至7中的任一項所述的基板處理系統，其特征在于，

所述控制裝置基于通過所述厚度測量部測量出的厚度測量數據，來控制所述蝕刻裝置的蝕刻條件。

9.根據權利要求1至7中的任一項所述的基板處理系統，其特征在于，

還具有磨削裝置，該磨削裝置對基板的一個面進行磨削，

所述蝕刻裝置對通過所述磨削裝置而被磨削了的基板的一個面進行蝕刻，

所述控制裝置基于在蝕刻處理前或蝕刻處理后通過所述厚度測量部測量出的厚度測量數據，來控制所述磨削裝置的磨削條件。

10.根據權利要求1至7中的任一項所述的基板處理系統，其特征在于，

還具有磨削裝置，在通過所述蝕刻裝置對基板的一個面進行被蝕刻后，所述磨削裝置對該基板的一個面進行磨削，

所述控制裝置基于在蝕刻處理后通過所述厚度測量部測量出的厚度測量數據，來控制所述磨削裝置的磨削條件。