[發明專利]高速低電力電平移位時鐘緩沖器

在審

• 申請號: 201980048310.1
• 申請日: 2019-07-19
• 公開（公告）號: CN112438021A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 宋同裕
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華

1.一種電平移位緩沖器，包括：

第一晶體管，被配置為響應于互補輸入信號的斷言而接通，以使耦合到所述第一晶體管的端子的下拉節點放電；

電流鏡，被配置為響應于電流鏡端子的放電而對內部節點充電；

第一開關晶體管，被配置為在輸出信號的放電之后的延遲的到期之后關斷，其中所述第一開關晶體管被耦合在所述下拉節點與所述電流鏡端子之間；

第二晶體管，被配置為響應于輸入信號到第一電源電壓的斷言而使所述內部節點放電，其中所述互補輸入信號是所述輸入信號的互補信號；以及

反相器，被配置為對所述內部節點的電壓進行反相，以形成所述輸出信號，其中所述反相器由大于所述第一電源電壓的第二電源電壓供電。

2.根據權利要求1所述的電平移位緩沖器，其中所述電流鏡包括：

二極管連接的晶體管，具有被配置為形成所述電流鏡端子的漏極和柵極；以及

電流鏡晶體管，具有被連接到所述電流鏡端子的柵極，其中所述電流鏡晶體管的漏極被耦合到所述內部節點。

3.根據權利要求2所述的電平移位緩沖器，還包括：

第二開關晶體管，其中所述第二開關晶體管被耦合在電源軌與所述電流鏡端子之間，并且其中所述第二開關晶體管被配置為在所述延遲的所述到期之后接通。

4.根據權利要求3所述的電平移位緩沖器，其中所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述第一開關晶體管全部是n型金屬氧化物半導體NMOS晶體管，并且其中所述二極管連接的晶體管、所述電流鏡晶體管和所述第二開關晶體管全部是p型金屬氧化物半導體PMOS晶體管。

5.根據權利要求3所述的電平移位緩沖器，還包括：

一系列反相器，被配置為延遲所述輸出信號以形成輸出信號的延遲版本，并且其中所述第一開關晶體管和所述第二開關晶體管二者都被配置為使其柵極由所述輸出信號的所述延遲版本驅動。

6.根據權利要求1所述的電平移位緩沖器，其中所述輸入信號是來自鎖相環的輸出時鐘信號。

7.根據權利要求1所述的電平移位緩沖器，其中所述緩沖器被結合到蜂窩電話中。

8.根據權利要求1所述的電平移位緩沖器，其中所述輸入信號是輸入時鐘信號，并且其中所述輸出信號是輸出時鐘信號。

9.一種對輸入信號進行電平移位以形成輸出信號的方法，包括：

響應于互補輸入信號的斷言而傳導用于電流鏡的輸入電流，其中所述互補輸入信號是所述輸入信號的互補信號；

通過所述電流鏡來鏡像所述輸入電流，以形成鏡像電流；

用所述鏡像電流對內部節點充電；

響應于所述內部節點的充電而使所述輸出信號放電；

響應于在所述輸出信號的放電之后的延遲的到期，關斷所述輸入電流；

響應于所述輸入信號到第一電源電壓的斷言，使所述內部節點放電；以及

響應于所述內部節點的放電，將所述輸出信號斷言為第二電源電壓，其中所述第二電源電壓大于所述第一電源電壓。

10.根據權利要求9所述的方法，還包括：

通過經由一系列反相器延遲所述輸出信號以形成經延遲的輸出信號，來對所述延遲進行定時。

11.根據權利要求10所述的方法，還包括：

響應于所述經延遲的輸出信號而關斷第一開關晶體管，以關斷所述輸入電流。

12.根據權利要求11所述的方法，還包括：

響應于所述延遲的所述到期而關斷所述鏡像電流。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括：

響應于所述經延遲的輸出信號而接通第二開關晶體管，以關斷所述鏡像電流。