[發明專利]用于測量CVD反應器中的基座的表面溫度的裝置

有效

• 申請號: 201980048259.4
• 申請日: 2019-06-14
• 公開（公告）號: CN112513327B
• 公開（公告）日: 2023-08-29
• 發明（設計）人: P.S.勞弗;F.魯達維特
• 申請（專利權）人: 艾克斯特朗歐洲公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/46;C23C16/52;H01L21/67;H01L21/687;H01L21/66
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 任麗榮

本發明涉及一種在CVD反應器中使用的蓋板(4、5)，其中，所述蓋板具有在圓弧線上延伸的周向邊緣，或者其中，多個相同地設計的蓋板(4、5)能夠以圓形布置，從而所述蓋板的沿著圓弧延伸的外邊緣相互補充成完整的圓。用于襯底(10)或者承載襯底(10)的襯底固持裝置的安置位置位于蓋板的面內。按照本發明，蓋板具有朝向其兩個相互背離地指向的寬側敞開的開口(15)，通過所述開口能夠看到基座(2)的上側(3)，從而通過開口(15)能夠進行光學的溫度測量。

技術領域

本發明涉及一種裝置，所述裝置用于將尤其是包含第III和第V主族的元素的層沉積在由基座的朝向處理室的一側承載的、布置在蓋板之間的自由空間中的襯底上，其中，設置有用于光學地測量基座的溫度的器件。

此外，本發明涉及一種由基座和多個蓋板構成的基座組件，以及一種用于裝置或者基座組件中的蓋板。

背景技術

前述類型的裝置在現有技術中作為CVD反應器、尤其是MOCVD反應器已知，其用于尤其是在使用有機金屬的氣態原料的情況下進行化學氣相沉積，以便在MOCVD反應器的處理室中沉積III-V半導體層。沉積在襯底上的層或者層序列的組成以及沉積的層的結晶性質或者電學性質在很大程度上取決于處理室內或者襯底的表面上的溫度。

襯底位于襯底固持裝置上，所述襯底固持裝置又由基座承載。襯底固持裝置能夠圍繞其自身的軸線旋轉驅動。圓形的基座也能夠圍繞其圖形軸線(Figurenachse)旋轉驅動。借助通常布置在基座下方的加熱裝置將基座或者處理室加熱至處理溫度，而襯底則布置在基座上方。使用溫度調控裝置控制加熱功率，所述溫度調控裝置在基座的下側測量基座的溫度。所述測量例如通過光導體和高溫計光學地進行。

此外已知，例如借助布置在處理室頂蓋上方的高溫計光學地測量襯底溫度，所述高溫計具有穿過處理室頂蓋的開口的光路。

使用用于測量襯底表面溫度的高溫計，只有存在足夠的信號時，才能夠調控襯底的溫度，而尤其當襯底或者沉積在襯底上的層對于高溫計所使用的波長是透明的時，則不存在足夠的信號。由于穿過基座從朝向加熱裝置的背側流向承載襯底的上側的熱流而在基座上側和基座下側之間存在溫度差。該溫度差取決于基座上側或者布置在基座上的蓋板的熱輻射特性。

以下專利文獻屬于現有技術:US?2004/0?175?939?Al、US?2006/0?269390?Al、JP2016-035?080?A、US?2006/0?102?081?Al、US?2009/0?308?319?Al、US?2011/0?143?016Al、DE?10?2009?010?555?Al、DE?10?2014?117388?Al和DE?11?2016?003?443?T5.

由專利文獻US?2004/0175939?A1已知一種具有邊緣側的開口的蓋板。專利文獻EP20060269390?A1描述了類似的蓋板。專利文獻JP?2016-35080?A描述了一種具有朝向周向邊緣敞開的縫隙的蓋板。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種措施，通過所述措施能夠尤其是在襯底附近精確地調控基座的溫度。

所述技術問題通過在權利要求中給出的發明解決。從屬權利要求不僅體現了并列的權利要求中所要求保護的技術方案的有利的擴展設計，而且也體現了所述技術問題的獨立的解決方案。