[發明專利]用于測量CVD反應器中的基座的表面溫度的裝置有效
| 申請號: | 201980048259.4 | 申請日: | 2019-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN112513327B | 公開(公告)日: | 2023-08-29 |
| 發明(設計)人: | P.S.勞弗;F.魯達維特 | 申請(專利權)人: | 艾克斯特朗歐洲公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C23C16/46;C23C16/52;H01L21/67;H01L21/687;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 任麗榮 |
| 地址: | 德國黑*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 測量 cvd 反應器 中的 基座 表面溫度 裝置 | ||
1.一種用于將層沉積在襯底(10)上的設備的基座組件,具有基座(2)和布置在所述基座的上側(3)上的多個蓋板,所述蓋板包括至少一個內部的蓋板(4)和至少一個外部的蓋板(5),所述蓋板之間具有自由空間,用于將襯底(10)圍繞基座組件的中心地布置在由兩個圓(a、b)限界的圓環面上,其中,外部的蓋板(4)具有面朝基座(2)的下寬側和背離基座(2)的上寬側以及對所述上寬側和下寬側敞開的開口(15),通過所述開口能夠看到基座(2)的上側(3),其特征在于,所述開口位于圓環面中,所述開口具有最大為100mm2的面積。
2.根據權利要求1所述的基座組件,其中,所述外部的蓋板(4)具有在圓弧線上延伸的周向邊緣,或者其中,多個相同地設計的外部的蓋板(4)能夠以圓形布置,從而所述外部的蓋板的沿著圓弧延伸的外邊緣相互補充成一個完整的圓,由圓(a、b)限界的圓環面布置在所述完整的圓內,用于襯底(10)或者承載襯底(10)的襯底固持裝置的安置位置位于所述圓環面中。
3.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,所述開口(15)朝向外部的蓋板(4)的鄰接在所述自由空間上的內邊緣(25)敞開。
4.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,所述開口(15)距離延伸通過由外部的蓋板(4)的鄰接在所述自由空間上的內邊緣(25)至少部分地包圍的圓形面的中心的圓弧線(c)比距離在徑向外側與圓形面相切的圓弧線(a)或者在徑向內側與圓形面相切的圓弧線(b)更近。
5.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,所述外部的蓋板(4)具有圓形的周向邊緣或者是具有圓形的周向邊緣的物體的部段,其中,所述外部的蓋板(4)具有沿著圓弧線延伸的內邊緣(25),并且開口(15)布置在兩個內邊緣(25)之間或者布置成鄰接在內邊緣(25)上。
6.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,所述開口(15)的面積最大為80mm2或者最大為60mm2。
7.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,所述外部的蓋板(4)具有朝向處理室(7)敞開的槽(17),所述槽的底部(18)構成開口(15)。
8.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,所述外部的蓋板(4)鄰接在基座(2)的邊緣(2′)上。
9.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,沿著圓盤狀的基座(2)的邊緣(2′)布置有多個外部的蓋板(4),所述多個外部的蓋板分別具有內邊緣(25),襯底(10)的邊緣、承載環(11)的邊緣或者襯底固持裝置(12)的邊緣鄰接在所述內邊緣上。
10.根據權利要求9所述的基座組件,其特征在于,所述多個外部的蓋板(4)分別構成成對的平行的槽(17),所述槽朝向外部的蓋板(4)的徑向外部的邊緣(24)敞開并且在切向上朝向襯底(10)延伸。
11.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,上側的能夠通過開口(15)看到的區段具有涂層(27)、由突起部(29)構成或者由插入基座(2)的凹部中的嵌件(28)構成,其中,嵌件(28)或者突起部(29)的端面(28′)在上側(3)中平齊或者突伸出所述上側(3)。
12.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,內部的蓋板(5)的下側(5′)在開口(15)的區域中支承在突起部(19)上,所述突起部封閉開口(15)。
13.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,外部的蓋板(4)和/或內部的蓋板(5)構成窗口,襯底(10)位于所述窗口中。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于艾克斯特朗歐洲公司,未經艾克斯特朗歐洲公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980048259.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:SiC晶片和SiC晶片的制造方法
- 下一篇:具有改進的呼吸氣體加濕的呼吸設備
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





