[發明專利]用于微電子制造的載體

在審

• 申請號: 201980047122.7
• 申請日: 2019-06-25
• 公開（公告）號: CN112424136A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: O·O·貝洛;D·A·克拉克;G·S·格萊澤曼;P·奧拉姆;C·D·里佐羅
• 申請（專利權）人: 康寧股份有限公司
• 主分類號: C03C21/00
• 分類號: C03C21/00;C03C3/087;C03C3/093
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張璐;樂洪詠

用于微電子制造的載體可以包括由玻璃或玻璃陶瓷形成的強化基材，其平均厚度大于1.0mm且小于或等于2.0mm。所述強化玻璃基材可以具有大于或等于70,000mm²的單側表面積。所述基材還可以具有大于或等于200MPa的壓縮應力和約50μm至約150μm的層深度。所述基材還可以包括拉伸應力區域，其儲存彈性能小于40kJ/m²，從而提供小于或等于5的平坦碎片化因子。

本申請要求2018年7月13日提交的系列號為62/697661的美國臨時申請的優先權權益，本文以該申請的內容為基礎并通過引用將其全部結合入本文。

背景

技術領域

本說明書一般涉及用于微電子制造的載體，更具體地，涉及包括由玻璃或玻璃陶瓷形成的強化基材的用于微電子制造的載體。

背景技術

在微電子晶片或面板的制造過程中使用載體來支承各種部件，因為晶片或面板是逐層“建立”在載體上。常規的制造技術，例如，扇出晶片級封裝(FOWLP)和扇出面板級封裝(FOPLP)將載體暴露于機械應力、高溫和苛刻的化學環境，這些均可降低由硅制造的常規載體的性能，導致載體不適于多次使用。

因此，需要能夠承受得住微電子制造工藝的嚴苛條件的替代性載體。

發明內容

根據本文公開的各個方面，一種用于微電子制造的載體可以包括由玻璃或玻璃陶瓷形成的強化基材。所述強化基材可以具有第一表面，與第一表面相對的第二表面，以及在第一表面與第二表面之間的平均厚度，該平均厚度大于1.0mm且小于或等于2.0mm。強化基材的單側表面積可以大于或等于70,000mm²。強化玻璃基材還可以包括第一壓縮應力層，其從第一表面向內延伸向強化基材的中心，第一壓縮應力層的第一層深度大于或等于50μm且小于或等于150μm。第二壓縮應力層可以從第二表面向內延伸向強化基材的中心，第二壓縮應力層的第二層深度大于或等于50μm且小于或等于150μm。在強化基材的第一表面和第二表面處的表面壓縮應力可以大于或等于200MPa。所述強化基材還可以包括位于第一壓縮應力層與第二壓縮應力層之間的拉伸應力區域，所述拉伸應力區域的儲存彈性能小于40kJ/m²。強化玻璃基材的平坦碎片化因子可以小于或等于5。

另一個方面包括如前述任一方面所述的載體，其中，在強化基材的第一表面和第二表面處的表面壓縮應力小于或等于700MPa。

另一個方面包括如前述任一方面所述的載體，其中，在強化基材的第一表面和第二表面處的表面壓縮應力大于或等于450MPa且小于或等于650MPa。

另一個方面包括如前述任一方面所述的載體，其中，第一層深度和第二層深度大于或等于60μm且小于或等于100μm。

另一個方面包括如前述任一方面所述的載體，其中，拉伸應力區域中的儲存彈性能小于或等于38.8kJ/m²。

另一個方面包括如前述任一方面所述的載體，其中，拉伸應力區域中的儲存彈性能小于或等于38kJ/m²。

另一個方面包括如前述任一方面所述的載體，其中，強化基材的平坦碎片化因子小于或等于3。

另一個方面包括如前述任一方面所述的載體，其中，第一表面的表面粗糙度Ra小于或等于1μm。

另一方面包括如前述任一方面所述的載體，其中，對于大于或等于300nm且小于或等于355nm的光波長，所述強化基材的透射率大于或等于50％。

另一方面包括如前述任一方面所述的載體，其中，對于大于或等于300nm且小于或等于355nm的光波長，所述強化基材的透射率大于或等于70％。