[發明專利]包括芯層的嵌入式跡線基板(ETS)中的高密度互連有效
| 申請號: | 201980045166.6 | 申請日: | 2019-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN112385022B | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發明(設計)人: | K·姜;H·喬瑪 | 申請(專利權)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 唐杰敏;陳煒 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 嵌入式 跡線基板 ets 中的 高密度 互連 | ||
一種基板,其包括第一基板部分、第二基板部分、和第二電介質層。第一基板部分包括:具有第一芯表面的芯層以及多個芯基板互連,其中該多個芯基板互連包括形成在該芯層的第一表面上的多個表面芯基板互連。第二基板部分包括:具有第一電介質表面的第一電介質層以及多個基板互連,第一電介質表面面向該芯層的第一芯表面,其中該多個基板互連包括形成在第一電介質表面上的多個互連。第二電介質層被形成在第一基板部分與第二基板部分之間,以使得該多個表面芯基板互連和該多個基板互連位于第二電介質層中。
背景技術
相關申請的交叉引用
本申請要求于2018年11月13日在美國專利商標局提交的非臨時申請No.16/189,128以及于2018年7月6日在美國專利商標局提交的臨時申請No.62/694,839的優先權和權益,這些申請的全部內容通過援引如同在下文全面闡述那樣且出于所有適用目的被納入于此。
技術領域
各種特征涉及用于集成器件的基板,但更具體地涉及包括芯層的嵌入式跡線基板(ETS)中的高密度互連。
背景技術
圖1解說了包括基板102和管芯104的集成器件100。管芯104通過多個焊料互連140耦合到基板102。集成器件100被設計成在小型便攜式設備(諸如移動電話)中使用。基板102可以是嵌入式跡線基板(ETS),其被設計和制造成用于具有小占用面積的設備,諸如移動設備。類似地,管芯104可被設計和制造成在移動設備中使用。
基板102包括多個電介質層120和多個互連122。每個電介質層120包括圖案化的金屬層和通孔。基板102包括第一阻焊層124、第二阻焊層126和多個焊料互連130。基板102是無芯基板。由于被用于制造基板102的工藝,基板102和集成器件100沒有被設計成用于大于移動設備的設備。盡管嵌入式跡線基板(ETS)可能適用于在移動設備或具有小占用面積的設備中使用,但嵌入式跡線基板(ETS)不適合大型設備,諸如機動交通工具中使用的設備。重新設計最初被設計成用于移動設備的管芯,以使其可以在機動交通工具中使用可能會非常昂貴,并且因此不是成本有效的。
因此,存在對于提供能在較大設備(諸如機動交通工具)中實現而不必重新設計管芯的集成器件的需要。理想地,此類設備可以使用已被設計成用于移動設備、但可以在交通工具(例如,車載應用)中使用的管芯。
概述
各種特征涉及用于集成器件的基板,但更具體地涉及包括芯層的嵌入式跡線基板(ETS)中的高密度互連。
一個示例提供了一種包括管芯和耦合到該管芯的基板的集成器件。該基板包括芯基板部分、無芯基板部分、和第二電介質層。該芯基板部分包括:具有第一芯表面的芯層以及多個芯基板互連,每個芯基板互連具有第一最小寬度,其中該多個芯基板互連包括形成在該芯層的第一表面上的多個表面芯基板互連。該無芯基板部分包括:具有第一電介質表面的第一電介質層以及多個基板互連,第一電介質表面面向該芯層的第一芯表面,每個基板互連具有第二最小寬度,第二最小寬度小于第一最小寬度,其中該多個基板互連包括形成在第一電介質表面上的多個互連。第二電介質層被形成在該芯基板部分與該無芯基板部分之間,以使得該多個表面芯基板互連和該多個基板互連位于第二電介質層中。
另一示例提供了一種包括第一基板部分、第二基板部分、和第二電介質層的基板。第一基板部分包括:具有第一芯表面的芯層以及多個芯基板互連,每個芯基板互連具有第一最小寬度,其中該多個芯基板互連包括形成在該芯層的第一芯表面上的多個表面芯基板互連。第二基板部分包括:具有第一電介質表面的第一電介質層以及多個基板互連,第一電介質表面面向該芯層的第一芯表面,每個基板互連具有第二最小寬度,第二最小寬度小于第一最小寬度,其中該多個基板互連包括形成在第一電介質表面上的多個互連。第二電介質層被形成在第一基板部分與第二基板部分之間,以使得該多個表面芯基板互連和該多個基板互連位于第二電介質層中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





