[發(fā)明專利]包括芯層的嵌入式跡線基板(ETS)中的高密度互連有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980045166.6 | 申請日: | 2019-06-24 |
| 公開(公告)號: | CN112385022B | 公開(公告)日: | 2021-11-30 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | K·姜;H·喬瑪 | 申請(專利權(quán))人: | 高通股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 唐杰敏;陳煒 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 嵌入式 跡線基板 ets 中的 高密度 互連 | ||
1.一種集成器件,包括:
管芯;以及
耦合到所述管芯的基板,所述基板包括:
(i)芯基板部分,其包括:
具有第一芯表面的芯層;以及
多個芯基板互連,每個芯基板互連具有第一最小寬度,其中所述多個芯基板互連包括形成在所述芯層的所述第一芯表面上的多個表面芯基板互連;
(ii)無芯基板部分,其包括:
具有第一電介質(zhì)表面的第一電介質(zhì)層,所述第一電介質(zhì)表面面向所述芯層的所述第一芯表面;以及
多個基板互連,每個基板互連具有第二最小寬度,所述第二最小寬度小于所述第一最小寬度,其中所述多個基板互連包括形成在所述第一電介質(zhì)表面上的多個互連;以及
(iii)第二電介質(zhì)層,所述第二電介質(zhì)層被形成在所述芯基板部分與所述無芯基板部分之間以使得所述多個表面芯基板互連和所述多個基板互連位于所述第二電介質(zhì)層中,
其中所述無芯基板部分包括嵌入式跡線基板(ETS)。
2.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其中,所述第二電介質(zhì)層包括多個通孔,其中所述多個通孔被耦合到(i)所述多個表面芯基板互連以及(ii)形成在所述第一電介質(zhì)層的表面上的所述多個互連。
3.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其中,每個芯基板互連具有大致上15微米(μm)的第一最小寬度,并且每個基板互連具有大致上6微米(μm)的第二最小寬度。
4.如權(quán)利要求3所述的集成器件,其中,兩個相鄰芯基板互連之間的最小間隔為至少大致上10微米(μm),并且兩個相鄰基板互連之間的最小間隔為至少大致上8微米(μm)。
5.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其中,所述多個芯基板互連包括穿過所述芯層的多個芯通孔。
6.如權(quán)利要求5所述的集成器件,其中,至少一個芯通孔包括:(i)金屬層、以及(ii)被所述金屬層橫向圍繞的非導(dǎo)電插栓材料。
7.如權(quán)利要求5所述的集成器件,其中,所述多個芯通孔的壁是大致上垂直的。
8.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其中,所述芯層具有在大致上150-1200微米(μm)的范圍中的厚度。
9.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述集成器件被納入以下設(shè)備中的任一者中:音樂播放器、視頻播放器、導(dǎo)航設(shè)備、智能電話、個人數(shù)字助理、以及固定位置終端。
10.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述集成器件被納入以下設(shè)備中的任一者中:娛樂單元、通信設(shè)備、移動設(shè)備、個人計(jì)算機(jī)、可穿戴設(shè)備、服務(wù)器、以及機(jī)動交通工具中的設(shè)備。
11.如權(quán)利要求1所述的集成器件,其特征在于,所述集成器件被納入以下設(shè)備中的任一者中:移動電話、平板計(jì)算機(jī)、以及膝上型計(jì)算機(jī)。
12.一種基板,包括:
(i)第一基板部分,其包括:
具有第一芯表面的芯層;以及
多個芯基板互連,每個芯基板互連具有第一最小寬度,其中所述多個芯基板互連包括形成在所述芯層的所述第一芯表面上的多個表面芯基板互連;
(ii)第二基板部分,其包括:
具有第一電介質(zhì)表面的第一電介質(zhì)層,所述第一電介質(zhì)表面面向所述芯層的所述第一芯表面;以及
多個基板互連,每個基板互連具有第二最小寬度,所述第二最小寬度小于所述第一最小寬度,其中所述多個基板互連包括形成在所述第一電介質(zhì)表面上的多個互連;以及
(iii)第二電介質(zhì)層,所述第二電介質(zhì)層被形成在所述第一基板部分與所述第二基板部分之間以使得所述多個表面芯基板互連和所述多個基板互連位于所述第二電介質(zhì)層中,
其中所述第二基板部分包括嵌入式跡線基板(ETS)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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