[發明專利]從氮化鈦表面去除氧化物

在審

• 申請號: 201980044910.0
• 申請日: 2019-08-07
• 公開（公告）號: CN112424925A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: J·J·王;仲華
• 申請（專利權）人: 瑪特森技術公司;北京屹唐半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/324
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 郗名悅;閆茂娟

提供了用于從氮化鈦表面去除氧化物的系統和工藝。在一個示例實施中，方法包括將工件放置在處理腔室中的工件支撐件上。工件可具有氮化鈦層。方法可包括對氮化鈦層進行基于等離子體的氧化物去除工藝。基于等離子體的氧化物去除工藝可包括：使用等離子體源在工藝氣體中通過誘導等離子體生成一種或多種物質；和將工件暴露于等離子體中生成的物質。工藝氣體可包括第一氣體和第二氣體的混合物。第一氣體可包括含氫氣體和含氮氣體的一種或多種。第二氣體可包括含氟氣體。

優先權聲明

本申請要求2018年8月31日提交的名稱為“Oxide Removal from TitaniumNitride Surfaces(從氮化鈦表面去除氧化物)”的美國臨時申請系列號62/725,337的優先權權益，其通過引用并入本文。

技術領域

本公開大體上涉及半導體加工，并且更具體地涉及從工件，比如半導體工件去除氧化物。

背景技術

在半導體加工中，在集成電路的制造中氮化鈦表面可用作導電性擴散阻擋層。例如，氮化鈦可用作半導體材料(例如，Si、SiGe等)和金屬(比如鋁、銅或鎢)之間的導電性擴散阻擋體。作為擴散層，氮化鈦可減少金屬和其他雜質(其可大幅度地改變設備性能)擴散入半導體材料。作為導電層，氮化鈦層可用作金屬和半導體層之間的導電性接觸層。

發明內容

本公開的實施方式的各方面和優點將部分在以下描述中陳述，或可從描述中得知，或可通過實施方式的實踐而得知。

本公開的一個示例方面涉及用于處理等離子體處理裝置中的工件的方法。該方法包括將工件放置在處理腔室中的工件支撐件上。工件可具有氮化鈦層。方法可包括對氮化鈦層進行基于等離子體的氧化物去除工藝。基于等離子體的氧化物去除工藝可包括：通過使用等離子體源在工藝氣體中誘導等離子體生成一種或多種物質；和將工件暴露于等離子體中生成的物質。工藝氣體可包括第一氣體和第二氣體的混合物。第一氣體可包括含氫氣體和含氮氣體的一種或多種。第二氣體可包括含氟氣體。

參考以下描述和所附權利要求，各種實施方式的這些和其他特征、方面和優點將變得更好理解。并入本說明書中并且構成本說明書的一部分的附圖闡釋了本公開的實施方式，并且與描述一起用來解釋相關的原理。

附圖說明

在參考所附附圖的說明書中，闡釋了針對本領域普通技術人員的實施方式的詳細討論，其中：

圖1描繪了根據本公開的示例實施方式的示例等離子體處理裝置；

圖2描繪了根據本公開的示例實施方式的示例方法的流程圖；

圖3描繪了根據本公開的示例實施方式的示例方法的流程圖；

圖4描繪了根據本公開的示例實施方式的與示例氧化物去除工藝相關的示例結果；

圖5描繪了根據本公開的示例實施方式的示例等離子體后氣體注入；

圖6描繪了根據本公開的示例實施方式的示例等離子體處理裝置；以及

圖7描繪了根據本公開的示例實施方式的示例等離子體處理裝置。

詳細描述

現在將對在附圖中闡釋了其一個或多個實施例的實施方式進行詳細描述。以解釋各實施方式，而非限制本公開的方式提供每個實施例。實際上，對本領域技術人員明顯的是，在不偏離本公開的范圍或精神的情況下，可對各實施方式進行各種修改和變化。例如，闡釋或描述為一個實施方式的一部分的特征可與另一個實施方式一起使用，以產生又一個實施方式。因此，期望本公開的各方面覆蓋這種修改和變化。