[發(fā)明專利]從氮化鈦表面去除氧化物

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201980044910.0
• 申請日: 2019-08-07
• 公開（公告）號: CN112424925A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: J·J·王;仲華
• 申請（專利權(quán)）人: 瑪特森技術(shù)公司;北京屹唐半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/324
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313
• 代理人: 郗名悅;閆茂娟

1.一種用于處理等離子體處理裝置中的工件的方法，所述方法包括：

將工件放置在處理腔室中的工件支撐件上，所述工件具有氮化鈦層；

對所述氮化鈦層進行基于等離子體的氧化物去除工藝，所述基于等離子體的氧化物去除工藝包括：

通過使用等離子體源在工藝氣體中誘導等離子體生成一種或多種物質(zhì)；

將工件暴露于等離子體中生成的物質(zhì)；

其中，所述工藝氣體包括第一氣體和第二氣體的混合物，所述第一氣體包括含氫氣體和含氮氣體的一種或多種，所述第二氣體包括含氟氣體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一氣體包括H₂氣體和N₂氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一氣體包括NH₃氣體。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一氣體包括H₂氣體、N₂氣體和NH₃氣體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二氣體包括CF₄氣體。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二氣體包括NF₃氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述工藝氣體包括H₂氣體、N₂氣體和CF₄氣體，H₂氣體的流速在約1000SCCM至約8000SCCM的范圍內(nèi)，N₂氣體的流速在約1000SCCM至約8000SCCM的范圍內(nèi)，CF₄氣體的流速在約0.1SCCM至約220SCCM的范圍內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述工藝氣體的總流速在約2000SCCM至約15000SCCM的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在基于等離子體的氧化物去除工藝期間，所述處理腔室中的壓力在約200mTorr至約1500mTorr的范圍內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在基于等離子體的氧化物去除工藝期間，工件的溫度在約90℃至約400℃的范圍內(nèi)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，等離子體源包括感應(yīng)耦合的等離子體源。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述等離子體在通過隔柵與處理腔室隔開的等離子體腔室中生成。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法包括在處理腔室中對工件進行基于等離子體的工藝，不用取出工件。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述基于等離子體的工藝包括等離子體刻蝕工藝、等離子體去膠工藝或等離子體表面處理工藝的一種或多種。

15.一種用于處理工件的方法，包括：

將工件放置在處理腔室中的工件支撐件上，所述工件包括氮化鈦層；

通過在等離子體腔室中的工藝氣體中誘導等離子體生成一種或多種物質(zhì)；

使用將等離子體腔室與處理腔室隔開的隔柵從一種或多種物質(zhì)過濾一種或多種離子；

將等離子體腔室下游的含氟氣體注入到一種或多種物質(zhì)中以生成第二混合物；

將工件暴露于處理腔室中的第二混合物，以從氮化鈦層去除氧化物。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述含氟氣體包括NF₃。