[發(fā)明專利]晶體管陣列

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980043977.2
• 申請日: 2019-05-31
• 公開（公告）號: CN112368852A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·索卡特斯;H·萬德克邱武
• 申請（專利權(quán)）人: 弗萊克因艾伯勒有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L27/28;H01L27/32;H01L27/12
• 代理公司: 中國貿(mào)促會專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 秦晨

一種生產(chǎn)器件的技術(shù)，該器件包括限定晶體管陣列的各層的堆疊并且包含一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層間連接，其中該方法包括：形成源極?漏極導(dǎo)體圖案，該源極?漏極導(dǎo)體圖案限定源極導(dǎo)體陣列和漏極導(dǎo)體陣列，每個(gè)源極導(dǎo)體為晶體管陣列的相應(yīng)晶體管集合提供尋址線，并且每個(gè)漏極導(dǎo)體與晶體管陣列的相應(yīng)晶體管相關(guān)聯(lián)；其中形成所述源極?漏極導(dǎo)體圖案包括形成第一導(dǎo)體子圖案，并且此后形成第二導(dǎo)體子圖案，其中所述第一導(dǎo)體子圖案在其中要形成與源極?漏極導(dǎo)體圖案的導(dǎo)電層間連接的一個(gè)或多個(gè)互連區(qū)域中提供源極?漏極導(dǎo)體圖案的導(dǎo)電表面，并且第二導(dǎo)體子圖案至少在源極導(dǎo)體和漏極導(dǎo)體最接近的區(qū)域中提供源極?漏極導(dǎo)體圖案的導(dǎo)電表面。

晶體管陣列可以由包括導(dǎo)體層、半導(dǎo)體層和絕緣體層的各層的堆疊來限定。

堆疊的一個(gè)重要部分是限定晶體管陣列的源極和漏極導(dǎo)體的源極-漏極導(dǎo)體圖案，并且本申請的發(fā)明人已經(jīng)進(jìn)行了以下研究：(i)改善半導(dǎo)體溝道與源極/漏極導(dǎo)體之間的電荷載流子傳輸，以及(ii)改善該源極-漏極導(dǎo)體圖案與堆疊中一個(gè)或多個(gè)其它層級的導(dǎo)體之間的導(dǎo)電連接。

由此，提供了一種制造器件的方法，該器件包括限定晶體管陣列的各層的堆疊并且包含一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)電層間連接，其中該方法包括：形成源極-漏極導(dǎo)體圖案，該源極-漏極導(dǎo)體圖案限定源極導(dǎo)體陣列和漏極導(dǎo)體陣列，每個(gè)源極導(dǎo)體為晶體管陣列的相應(yīng)晶體管集合提供尋址線，并且每個(gè)漏極導(dǎo)體與晶體管陣列的相應(yīng)晶體管相關(guān)聯(lián)；其中形成所述源極-漏極導(dǎo)體圖案包括形成第一導(dǎo)體子圖案，并且此后形成第二導(dǎo)體子圖案，其中所述第一導(dǎo)體子圖案在其中要形成與源極-漏極導(dǎo)體圖案的導(dǎo)電層間連接的一個(gè)或多個(gè)互連區(qū)域中提供源極-漏極導(dǎo)體圖案的導(dǎo)電表面，并且第二導(dǎo)體子圖案至少在源極導(dǎo)體和漏極導(dǎo)體最接近的區(qū)域中提供源極-漏極導(dǎo)體圖案的導(dǎo)電表面。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該方法還包括：在基本上限于所述一個(gè)或多個(gè)互連區(qū)域的區(qū)域和所述一個(gè)或多個(gè)互連區(qū)域中的每個(gè)互連區(qū)域周圍的外圍區(qū)域中形成所述第一導(dǎo)體子圖案；以及所述第二導(dǎo)體子圖案在所述外圍區(qū)域中與所述第一導(dǎo)體子圖案重疊。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該方法還包括：在所述源極-漏極導(dǎo)體圖案上方形成一層或多層，并且此后使用由包含氧的氣體產(chǎn)生的等離子體在所述一個(gè)或多個(gè)互連區(qū)域中形成通孔，并在互連區(qū)域中沉積導(dǎo)體材料；其中第一導(dǎo)體子圖案的材料在形成通孔的條件下比第二導(dǎo)體子圖案的材料表現(xiàn)出更小的電導(dǎo)率降低。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一導(dǎo)體圖案的材料在暴露于所述等離子體時(shí)基本上不表現(xiàn)出電導(dǎo)率降低。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該方法還包括在源極-漏極導(dǎo)體圖案上方形成半導(dǎo)體溝道材料層，以提供用于晶體管陣列的半導(dǎo)體溝道；以及使用由基本上不包括氧的氣體產(chǎn)生的等離子體對有機(jī)半導(dǎo)體溝道材料層構(gòu)圖。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，等離子體由基本上由一種或多種稀有氣體構(gòu)成的氣體產(chǎn)生。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，該方法還包括：在所述源極-漏極導(dǎo)體圖案上方形成一層或多層；此后在所述一個(gè)或多個(gè)互連區(qū)域中形成通孔；在所述一層或多層上方形成上導(dǎo)體圖案，該上導(dǎo)體圖案通過所述一個(gè)或多個(gè)互連區(qū)域中的通孔與第一導(dǎo)體子圖案接觸；以及其中上導(dǎo)體圖案和第一導(dǎo)體子圖案之間的接觸是不同導(dǎo)體材料之間的接觸。

由此，還提供了一種方法，包括：使用由基本上不包括氧的氣體產(chǎn)生的等離子體來對有機(jī)半導(dǎo)體溝道材料層構(gòu)圖，該有機(jī)半導(dǎo)體溝道材料層在限定晶體管陣列的各層的堆疊中提供半導(dǎo)體溝道。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，等離子體由基本上由一種或多種稀有氣體構(gòu)成的氣體產(chǎn)生。