[發明專利]晶體管陣列

在審

• 申請號: 201980043977.2
• 申請日: 2019-05-31
• 公開（公告）號: CN112368852A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: J·索卡特斯;H·萬德克邱武
• 申請（專利權）人: 弗萊克因艾伯勒有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L27/28;H01L27/32;H01L27/12
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種制造器件的方法，該器件包括限定晶體管陣列的各層的堆疊并且包含一個或多個導電層間連接，其中該方法包括：形成源極-漏極導體圖案，該源極-漏極導體圖案限定源極導體陣列和漏極導體陣列，每個源極導體為晶體管陣列的相應晶體管集合提供尋址線，每個漏極導體與晶體管陣列的相應晶體管相關聯；其中形成所述源極-漏極導體圖案包括形成第一導體子圖案，并且此后形成第二導體子圖案，其中所述第一導體子圖案在其中要形成與源極-漏極導體圖案的導電層間連接的一個或多個互連區域中提供源極-漏極導體圖案的導電表面，并且第二導體子圖案至少在源極導體和漏極導體最接近的區域中提供源極-漏極導體圖案的導電表面。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：在基本上限于所述一個或多個互連區域的區域和所述一個或多個互連區域中的每個互連區域周圍的外圍區域中形成所述第一導體子圖案；以及所述第二導體子圖案在所述外圍區域中與所述第一導體子圖案重疊。

3.根據權利要求1或權利要求2所述的方法，其中所述方法還包括：在所述源極-漏極導體圖案上方形成一層或多層，并且此后使用由包含氧的氣體產生的等離子體在所述一個或多個互連區域中形成通孔，以及在互連區域中沉積導體材料；其中第一導體子圖案的材料在形成通孔的條件下比第二導體子圖案的材料表現出更小的電導率降低。

4.根據權利要求3所述的方法，其中第一導體圖案的材料在暴露于所述等離子體時基本上不表現出電導率降低。

5.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，包括：在源極-漏極導體圖案上方形成半導體溝道材料層，以提供用于晶體管陣列的半導體溝道；以及使用由基本上不包括氧的氣體產生的等離子體對有機半導體溝道材料層構圖。

6.根據權利要求5所述的方法，其中等離子體由基本上由一種或多種稀有氣體構成的氣體產生。

7.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，還包括：在所述源極-漏極導體圖案上方形成一層或多層；此后在所述一個或多個互連區域中形成通孔；在所述一層或多層上方形成上導體圖案，該上導體圖案通過所述一個或多個互連區域中的通孔與第一導體子圖案接觸；以及其中上導體圖案和第一導體子圖案之間的接觸是不同導體材料之間的接觸。

8.一種方法，包括：使用由基本上不包括氧的氣體產生的等離子體來對有機半導體溝道材料層構圖，該有機半導體溝道材料層在限定晶體管陣列的各層的堆疊中提供半導體溝道。

9.根據權利要求8所述的方法，其中等離子體由基本上由一種或多種稀有氣體構成的氣體產生。

10.一種器件，包括限定晶體管陣列的各層的堆疊并且包含一個或多個導電層間連接，其中所述器件包括：源極-漏極導體圖案，其限定源極導體陣列和漏極導體陣列，每個源極導體為晶體管陣列的相應晶體管集合提供尋址線，每個漏極導體與晶體管陣列的相應晶體管相關聯；其中所述源極-漏極導體圖案包括第一導體子圖案和在第一導體子圖案上方的第二導體子圖案，其中所述第一導體子圖案在其中要形成與源極-漏極導體圖案的導電層間連接的一個或多個互連區域中提供源極-漏極導體圖案的導電表面，并且第二導體子圖案至少在源極導體和漏極導體最接近的區域中提供源極-漏極導體圖案的導電表面。

11.根據權利要求10所述的器件，其中所述第一導體子圖案形成在基本上限于所述一個或多個互連區域的區域和所述一個或多個互連區域中的每個互連區域周圍的外圍區域中；以及所述第二導體子圖案在所述外圍區域中與所述第一導體子圖案重疊。

12.根據權利要求10或權利要求11所述的器件，還包括：在所述源極-漏極導體圖案上方形成的一層或多層；以及在所述一個或多個互連區域中經由通孔與所述源極-漏極導體圖案接觸的另一個導體圖案；其中第一導體子圖案的材料在活性氧氣氛中比第二導體子圖案的材料更不易氧化。

13.根據權利要求10至12中的任一項所述的器件，還包括：在所述源極-漏極導體圖案上方的一層或多層；以及在所述一個或多個互連區域中通過通孔與第一導體子圖案接觸的上導體圖案；并且其中上導體圖案和第一導體子圖案之間的接觸是不同導體材料之間的接觸。