[發(fā)明專利]成膜裝置及成膜方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980043138.0
• 申請日: 2019-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN112334595B
• 公開（公告）日: 2022-12-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 加藤裕子;矢島貴浩;中村文生;植喜信;小倉祥吾
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社愛發(fā)科
• 主分類號(hào): C23C14/50
• 分類號(hào): C23C14/50;B05C9/12;B05C11/10;B05D3/00;B05D3/06;C23C14/12;C23C14/58
• 代理公司: 北京柏杉松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413
• 代理人: 袁波;劉繼富

1.一種成膜裝置，具有：

冷卻臺(tái)，其具有支承基板的支承面和與所述支承面相連的側(cè)面部，所述冷卻臺(tái)構(gòu)成為被所述支承面支承的所述基板的外周端從所述側(cè)面部突出，

環(huán)狀的防附著框部，其配置成包圍所述冷卻臺(tái)的所述側(cè)面部，并且在與所述基板的所述外周端相向的位置設(shè)有凹部，所述側(cè)面部被所述凹部包圍，

氣體供給部，其向所述支承面供給含有能量束固化樹脂的原料氣體，

照射源，其與所述支承面相向，向所述支承面照射使所述能量束固化樹脂固化的能量束，以及

真空槽，其容納有所述冷卻臺(tái)、所述防附著框部、所述氣體供給部以及所述照射源，

在所述冷卻臺(tái)的所述側(cè)面部與所述防附著框部之間設(shè)有第一間隙，

在所述防附著框部與所述基板從所述側(cè)面部突出的部分的下表面之間設(shè)有第二間隙，

在所述冷卻臺(tái)設(shè)有經(jīng)由所述第一間隙從所述第二間隙向所述真空槽的側(cè)壁噴射非活性氣體的氣體噴射機(jī)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其中，

設(shè)置在所述防附著框部的所述凹部由底面部、側(cè)壁部以及外周部構(gòu)成，

所述側(cè)壁部與所述底面部相連設(shè)置，與所述冷卻臺(tái)的所述側(cè)面部相向，

所述外周部與所述底面部相連設(shè)置，包圍所述底面部及所述側(cè)壁部，

在所述凹部附設(shè)有與所述側(cè)壁部相向并包圍所述冷卻臺(tái)的隔板部，

在所述隔板部與所述側(cè)壁部之間設(shè)有與所述第一間隙并排設(shè)置的第三間隙，

在所述隔板部與所述基板之間設(shè)有第四間隙，

所述氣體噴射機(jī)構(gòu)經(jīng)由所述第一間隙從所述第二間隙及所述第四間隙向所述真空槽的所述側(cè)壁噴射所述非活性氣體，并且經(jīng)由所述第三間隙從所述第四間隙向所述側(cè)壁噴射所述非活性氣體。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置，其中，

所述第四間隙的寬度比所述第二間隙的寬度更寬。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置，其中，

所述冷卻臺(tái)的所述支承面為矩形，

所述氣體噴射機(jī)構(gòu)對(duì)流經(jīng)與所述支承面的角部相向的所述第三間隙的所述非活性氣體的流量，以及流經(jīng)與除所述角部以外的所述支承面的邊部相向的所述第三間隙的所述非活性氣體的流量獨(dú)立地進(jìn)行控制。

5.一種成膜方法，

在具有支承基板的支承面和與所述支承面相連的側(cè)面部的冷卻臺(tái)的所述支承面，以所述基板的外周端從所述側(cè)面部突出的方式支承所述基板，

環(huán)狀的防附著框部包圍所述冷卻臺(tái)的所述側(cè)面部，在所述防附著框部的與所述基板的所述外周端相向的位置設(shè)有凹部，將通過所述凹部包圍所述側(cè)面部的所述防附著框部配置在所述冷卻臺(tái)的周圍，

向所述基板供給含有能量束固化樹脂的原料氣體，

向所述基板照射使所述能量束固化樹脂固化的能量束，從而在所述基板上形成樹脂層，

在所述冷卻臺(tái)的所述側(cè)面部與所述防附著框部之間設(shè)置第一間隙，

在所述防附著框部與所述基板從所述側(cè)面部突出的部分的下表面之間設(shè)置第二間隙，

經(jīng)由所述第一間隙從所述第二間隙向真空槽的側(cè)壁噴射非活性氣體。