[發明專利]用以清潔基板的噴頭以及其制造方法在審
| 申請號: | 201980041845.6 | 申請日: | 2019-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN112335027A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 金范鎮;金賢信 | 申請(專利權)人: | HS高科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 隆翔鷹 |
| 地址: | 韓國京畿道*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用以 清潔 噴頭 及其 制造 方法 | ||
1.一種用以清潔基板的噴頭,其特征在于包括:
上部流路部,與主孔連通;以及
下部流路部,使所述上部流路部與噴出孔連通,且
所述上部流路部的上部表面與所述下部流路部的下部表面沿上下方向彼此隔開。
2.根據權利要求1所述的用以清潔基板的噴頭,其特征在于,還包括:
第一主體;以及
第二主體,以使所述第一主體的下表面與所述第二主體的上表面抵接的方式與所述第一主體的下部結合,
所述上部流路部以所述上部流路部的下部開放的狀態,形成在所述第一主體的下表面,所述下部流路部以所述下部流路部的上部開放的狀態,形成在所述第二主體的上表面,
所述噴出孔將所述噴出孔的上部與所述下部流路部的所述下部表面連通,并以所述噴出孔的下部開放的狀態形成在所述第二主體的下表面。
3.根據權利要求2所述的用以清潔基板的噴頭,其特征在于,所述上部流路部具有將所述上部流路部的端部的呈開放的下部與所述下部流路部的呈開放的上部連通的分支區間,但所述分支區間的端部被所述第一主體堵塞。
4.根據權利要求1所述的用以清潔基板的噴頭,其特征在于,所述下部流路部包括彼此獨立地形成且相互隔開的多個下部流路。
5.根據權利要求4所述的用以清潔基板的噴頭,其特征在于,在所述多個下部流路中的每一個連通有多個所述噴出孔。
6.根據權利要求5所述的用以清潔基板的噴頭,其特征在于,與所述多個下部流路中的每一個連通的多個所述噴出孔沿所述多個下部流路中的每一個的長度方向排列為一列。
7.根據權利要求1所述的用以清潔基板的噴頭,其特征在于,所述上部流路部包括與所述下部流路部的一側連通的第一上部流路部、及與所述下部流路部的相反側連通的第二上部流路部,所述第一上部流路部與所述第二上部流路部在同一平面上彼此不連通。
8.根據權利要求1所述的用以清潔基板的噴頭,其特征在于,所述上部流路部包括:
主流路,與和所述主孔連通的上下流路以彼此垂直的方式連通;以及
分支區間,與所述主流路連通,且所述分支區間的端部的下部與所述下部流路部的上部連通。
9.根據權利要求8所述的用以清潔基板的噴頭,其特征在于,所述下部流路部包括多個下部流路,
通過所述上下流路、所述主流路及所述分支區間而流動至所述多個下部流路中的每一個的清潔液的流動距離相同。
10.一種用以清潔基板的噴頭的制造方法,其特征在于,包括如下步驟:
主體準備步驟,準備第一主體,在所述第一主體的下表面形成第一上部流路部及第二上部流路部,且在所述第一主體的上表面形成與所述第一上部流路部連通的第一主孔、及與所述第二上部流路部連通的第二主孔,準備第二主體,在所述第二主體的上表面形成有彼此獨立地形成且相互隔開的多個下部流路;以及
結合步驟,以如下方式將所述第一主體的下表面與所述第二主體的上表面結合:所述多個下部流路的一側的上部與所述第一上部流路部的第一分支區間的端部的下部連通,所述多個下部流路的相反側的上部與所述第二上部流路部的第二分支區間的端部的下部連通。
11.根據權利要求10所述的用以清潔基板的噴頭的制造方法,其特征在于,在所述主體準備步驟中,所述第一上部流路部、所述第二上部流路部與所述多個下部流路分別通過加工而形成,
在所述結合步驟中,所述第一主體、所述第二主體的非加工部位與所述第一主體、所述第二主體的加工部位形成對向且密閉的流路構造。
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H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





