[發(fā)明專利]用以清潔基板的噴頭以及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980041845.6 | 申請日: | 2019-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN112335027A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金范鎮(zhèn);金賢信 | 申請(專利權(quán))人: | HS高科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標(biāo)代理有限公司 44102 | 代理人: | 隆翔鷹 |
| 地址: | 韓國京畿道*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用以 清潔 噴頭 及其 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種對基板噴出清潔液的用以清潔基板的噴頭以及其制造方法,特別是有關(guān)于一種用以清潔基板的噴頭以及其制造方法,以提供具有甚至可承受高的清潔液供給壓力的耐壓特性的用以清潔基板的噴頭。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種對基板噴出清潔液的用以清潔基板的噴頭以及其制造方法。
背景技術(shù)
對用于制造半導(dǎo)體芯片、發(fā)光二極管(Light Emitting Diode,LED)芯片等的基板執(zhí)行光微影法、蝕刻、薄膜蒸鍍等各種制程。
如上所述,在對基板執(zhí)行各種制程的過程中,產(chǎn)生粒子等異物,為了去除此種異物,在各個制程執(zhí)行之前或執(zhí)行之后的步驟中,執(zhí)行對基板進(jìn)行清潔的清潔制程。
作為清潔制程,噴射化學(xué)品、或噴射混合有氣體的處理液、或噴射清潔液以去除殘留在基板上的異物。其中,噴射清潔液的方式為對用以清潔基板的噴頭供給清潔液來噴出清潔液。
作為噴射所述清潔液的方式的用以清潔基板的噴頭,公開有記載在韓國注冊專利第10-1842128號(以下,稱為“專利文獻(xiàn)1”)中。
專利文獻(xiàn)1的噴頭包括如下部件而構(gòu)成:流路,在內(nèi)部流動處理液;本體,形成有與所述流路連通并噴出處理液的噴出孔;以及壓電組件,對于所述本體中流動的所述處理液進(jìn)行加壓并通過所述噴出孔使所述處理液以液滴形態(tài)噴出;且處理液通過沿上下方向形成的主流路流入,并通過沿水平方向形成的流路由噴出孔噴出。
此種噴頭承受在噴頭內(nèi)部流動的處理液(或清潔液)的壓力(以下,稱為“流動壓”)的程度,即噴頭的耐壓特性頗為重要。其原因在于在流動壓高于噴頭的耐壓的情況下,噴頭內(nèi)部的流路會因高流動壓而破損、或在噴頭結(jié)合部位等產(chǎn)生泄漏(leak)。
作為流動壓上升的原因,存在如下情況:因供給的處理液(或清潔液)的壓力(以下,稱為“供給壓”)高而流動壓被保持得高的情況;及噴出孔被粒子等異物堵塞而流動壓不正常地急劇上升的情況。
供給壓與由噴頭的噴出孔噴出的處理液的噴出壓力(以下,稱為“噴出壓”)有關(guān)系。其原因在于,若供給壓高,則流動壓被保持得高而噴出壓也被保持得高。此種供給壓根據(jù)噴頭的耐壓特性來確定,且越是具有高耐壓特性的噴頭越可通過高供給壓而發(fā)揮高噴出壓性能。換言之,噴頭的高耐壓特性是使噴頭的噴出性能上升的原因。
另一方面,在因異物堵塞噴出孔而流動壓不正常地急劇上升的情況下,若噴頭的耐壓特性差,則流路會因處理液而破損。特別是,如專利文獻(xiàn)1的圖5的實(shí)施例所示,在曲折的第三流路連接第一流路與第二流路并在整體上具有連續(xù)的“S”形形狀的情況下,在作為第一流路、第二流路的連接部的第三流路中,存在因無壓力抵消效果而無法承受高流動壓,進(jìn)而產(chǎn)生破損的問題點(diǎn)。
如上所述,噴頭的高耐壓特性于噴頭的噴出性能與噴頭的強(qiáng)度方面而言是重要的,因此需要開發(fā)具有高耐壓特性的用以清潔基板的噴頭。
[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)]
[專利文獻(xiàn)1]韓國注冊專利第10-1842128號
發(fā)明內(nèi)容
[發(fā)明所欲解決的課題]
本發(fā)明是為了解決如上所述的問題而提出的,其目的在于通過提供一種具有高耐壓特性的用以清潔基板的噴頭以及其制造方法,從而提高用以清潔基板的噴頭的噴出性能、及防止用以清潔基板的噴頭內(nèi)部流路的破損。
[解決課題的手段]
根據(jù)本發(fā)明的用以清潔基板的噴頭,其包括:上部流路部,與主孔連通;以及下部流路部,使所述上部流路部與噴出孔連通,且所述上部流路部的上部表面與所述下部流路部的下部表面沿上下方向彼此隔開。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





