[發(fā)明專利]包括具有經(jīng)冷卻的面板的噴頭的襯底處理室

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980039640.4
• 申請(qǐng)日: 2019-06-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112262464A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 達(dá)莫達(dá)爾·拉賈拉姆·尚巴格;納格拉杰·尚卡爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/683;C23C16/455
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠;張靜

一種用于襯底處理室的噴頭包含：內(nèi)壁；內(nèi)充氣腔，其位于所述內(nèi)壁之間；面板，其具有第一表面與第二表面，所述第二表面與所述第一表面相反；穿過(guò)所述面板的孔，其從所述第一表面延伸到所述第二表面；第一入口，其與所述內(nèi)充氣腔流體地連接；外壁；第一外充氣腔，其位于所述內(nèi)壁與所述外壁之間；第二外充氣腔，其位于所述內(nèi)壁與所述外壁之間；以及冷卻劑通道，其：使所述第一外充氣腔與所述第二外充氣腔流體地連接；設(shè)置在所述面板內(nèi)且在所述第一與第二表面之間；并且與所述孔流體地隔離。所述噴頭還包括：第二入口，其與所述第一外充氣腔流體地連接。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2018年6月12日申請(qǐng)的美國(guó)專利申請(qǐng)No.16/006,355的優(yōu)先權(quán)。上述引用的申請(qǐng)其全部公開(kāi)內(nèi)容都通過(guò)引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及襯底處理系統(tǒng)，并且更具體地涉及具有經(jīng)冷卻的噴頭的襯底處理室。

背景技術(shù)

這里提供的背景描述是為了總體呈現(xiàn)本公開(kāi)的背景的目的。當(dāng)前指定的發(fā)明人的工作在其在此背景技術(shù)部分以及在提交申請(qǐng)時(shí)不能確定為現(xiàn)有技術(shù)的說(shuō)明書的各方面中描述的范圍內(nèi)既不明確也不暗示地承認(rèn)是針對(duì)本公開(kāi)的現(xiàn)有技術(shù)。

襯底處理系統(tǒng)可用于處理例如半導(dǎo)體晶片之類的襯底。可在襯底上被執(zhí)行的示例性處理包含但不限于沉積、蝕刻、清掃以及其他種類的處理。

襯底可被布置在位于處理室中的襯底支撐件上，例如底座或靜電卡盤(ESC)上。處理室內(nèi)的噴頭分布?xì)怏w或氣體混合物。等離子體用于引發(fā)處理室內(nèi)的化學(xué)反應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容

在一特征中，描述了一種用于襯底處理室的噴頭。所述噴頭包含：內(nèi)壁；內(nèi)充氣腔，其位于所述內(nèi)壁之間；面板，其具有第一表面與第二表面，所述第二表面與所述第一表面相反；穿過(guò)所述面板的孔，其從所述第一表面延伸到所述第二表面；第一入口，其與所述內(nèi)充氣腔流體地連接；外壁；第一外充氣腔，其位于所述內(nèi)壁與所述外壁之間；第二外充氣腔，其位于所述內(nèi)壁與所述外壁之間；以及冷卻劑通道，其：使所述第一外充氣腔與所述第二外充氣腔流體地連接；設(shè)置在所述面板內(nèi)且在所述第一與第二表面之間；并且與所述孔流體地隔離。所述還包括：第二入口，其與所述第一外充氣腔流體地連接。

在其他特征中，所述冷卻劑通道穿過(guò)所述面板的方向垂直于所述孔穿過(guò)所述面板的第二方向。

在其他特征中，所述噴頭包含：桿部分，其包含第一端和第二端，并且包含第一直徑；以及基座部分，其與所述桿部分的所述第二端連接，并且包含大于所述第一直徑的第二直徑。

在其他特征中，所述冷卻劑通道中的每一個(gè)與所述冷卻劑通道中的其他的每一個(gè)平行。

在其他特征中，所述噴頭還包含出口，其與所述第二外充氣腔流體地連接。

在其他特征中，所述噴頭還包含分隔部件，其設(shè)置在所述內(nèi)壁與所述外壁之間，并且將所述第一外充氣腔與所述第二外充氣腔流體地隔離。

在其他特征中，所述噴頭還包含第二孔，其：從所述第二表面延伸到所述冷卻劑通道；并且不延伸到所述第一表面。

在其他特征中，所述第二孔與穿過(guò)所述面板的所述孔平行。

在其他特征中，所述第二孔與穿過(guò)所述面板的所述孔流體地隔離。

在其他特征中，一種處理系統(tǒng)包含：所述襯底處理室；所述噴頭，其中所述噴頭設(shè)置在所述襯底處理室內(nèi)；冷卻劑組件，其設(shè)置成將冷卻劑提供至所述第二入口；以及溫度控制器，其設(shè)置成在所述襯底處理室內(nèi)的襯底上的膜的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)期間，控制所述冷卻劑組件，以將所述冷卻劑冷卻至小于或等于預(yù)定溫度。

在其他特征中，所述膜為氮化硅(SiN)。