[發明專利]包括具有經冷卻的面板的噴頭的襯底處理室

在審

• 申請號: 201980039640.4
• 申請日: 2019-06-06
• 公開（公告）號: CN112262464A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 達莫達爾·拉賈拉姆·尚巴格;納格拉杰·尚卡爾
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;C23C16/455
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張靜

1.一種用于襯底處理室的噴頭，所述噴頭包含：

內壁；

內充氣腔，其位于所述內壁之間；

面板，其具有第一表面與第二表面，所述第二表面與所述第一表面相反；

穿過所述面板的孔，其從所述第一表面延伸到所述第二表面；

第一入口，其與所述內充氣腔流體地連接；

外壁；

第一外充氣腔，其位于所述內壁與所述外壁之間；

第二外充氣腔，其位于所述內壁與所述外壁之間；

冷卻劑通道，其：

使所述第一外充氣腔與所述第二外充氣腔流體地連接；

設置在所述面板內且在所述第一與第二表面之間；并且

與所述孔流體地隔離；以及

第二入口，其與所述第一外充氣腔流體地連接。

2.根據權利要求1所述的噴頭，其中所述冷卻劑通道穿過所述面板的方向垂直于所述孔穿過所述面板的第二方向。

3.根據權利要求1所述的噴頭，其中所述噴頭包含：

桿部分，其包含第一端和第二端，并且包含第一直徑；以及

基座部分，其與所述桿部分的所述第二端連接，并且包含大于所述第一直徑的第二直徑。

4.根據權利要求1所述的噴頭，其中所述冷卻劑通道中的每一個與所述冷卻劑通道中的其他的每一個平行。

5.根據權利要求1所述的噴頭，其還包含出口，所述出口與所述第二外充氣腔流體地連接。

6.根據權利要求1所述的噴頭，其還包含分隔部件，其設置在所述內壁與所述外壁之間，并且將所述第一外充氣腔與所述第二外充氣腔流體地隔離。

7.根據權利要求1所述的噴頭，其還包含第二孔，所述第二孔：

從所述第二表面延伸到所述冷卻劑通道；并且

不延伸到所述第一表面。

8.根據權利要求7所述的噴頭，其中所述第二孔與穿過所述面板的所述孔平行。

9.根據權利要求7所述的噴頭，其中所述第二孔與穿過所述面板的所述孔流體地隔離。

10.一種處理系統，其包含：

所述襯底處理室；

根據權利要求1所述的噴頭，其中所述噴頭設置在所述襯底處理室內；

冷卻劑組件，其設置成將冷卻劑提供至所述第二入口；以及

溫度控制器，其設置成在所述襯底處理室內的襯底上的膜的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)期間，控制所述冷卻劑組件，以將所述冷卻劑冷卻至小于或等于預定溫度。

11.根據權利要求10所述的處理系統，其中所述膜為氮化硅(SiN)。

12.根據權利要求11所述的處理系統，其還包含系統控制器，其設置成針對所述襯底上的所述膜的所述PECVD，使硅烷和包含氮的氣體經由所述第一入口、所述內充氣腔和所述孔流到所述襯底處理室內。

13.根據權利要求10所述的處理系統，其中所述系統控制器被設置成在所述噴頭與所述襯底之間產生等離子體。

14.根據權利要求10所述的處理系統，其中所述溫度控制器進一步設置成在從所述襯底處理室內清掃經由等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)而沉積在襯底上的膜的期間，控制所述冷卻劑組件，以將所述冷卻劑冷卻至小于或等于所述預定溫度。

15.根據權利要求14所述的處理系統，其中所述膜為氮化硅(SiN)。