[發(fā)明專利]真空沉積設(shè)備和用于涂覆基底的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980039219.3
• 申請日: 2019-04-23
• 公開（公告）號: CN112262226B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 埃里奇·西爾伯貝格;塞爾焦·帕切;雷米·邦內(nèi)曼
• 申請（專利權(quán)）人: 安賽樂米塔爾公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C14/16;C23C14/24;C23C14/56
• 代理公司: 北京允天律師事務(wù)所 11697
• 代理人: 袁家來;魏金霞

1.一種用于在包括真空室(2)的真空沉積設(shè)備(1)內(nèi)部在移動的基底(S)上連續(xù)沉積由至少一種金屬形成的涂層的方法，其中所述方法包括以下步驟：其中在所述真空室中，經(jīng)由至少兩個蒸氣噴射器(3、3′)朝向所述移動的基底的兩側(cè)噴射金屬蒸氣，并通過所噴射的蒸氣的冷凝來在各側(cè)上形成至少一種金屬的層，所述至少兩個蒸氣噴射器彼此面對，位于所述基底的兩側(cè)上并且分別以角度α和α′定位，所述角度α和α′是所述蒸氣噴射器與垂直于所述基底的移動方向的軸(A)之間的，所述軸在所述基底的平面內(nèi)，α和α′兩者滿足以下等式：

(D1+D2)+Le sinα+We cosα＝Ws和

(D1+D2)+Le sinα′+We cosα′＝Ws

α和α′的絕對值大于0°，以及

D1和D2為蒸汽噴射器邊緣與各基底邊緣之間沿所述軸(A)的較短距離，W_s為基底寬度，D1和D2大于0mm，即，蒸汽噴射器邊緣不超出所述基底邊緣，以及所述蒸氣噴射器具有細(xì)長的形狀并且包括槽并且由槽長度Le和槽寬度We限定，所述蒸氣噴射器具有相同的旋轉(zhuǎn)軸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述D1和D2大于1mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述基底寬度Ws最大為2200mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中Ws最小為200mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中在絕對值方面，α′使得α-α′＜10°。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中α在絕對值方面為5°至80°。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中α在絕對值方面為20°至60°。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中α在絕對值方面為35°至55°。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中蒸汽噴射器的槽長度L_e為5mm至50mm。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述蒸汽噴射器具有矩形形狀或梯形形狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中D1與D2相同。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述真空室還包括包圍所述基底的中央殼體(6)，所述中央殼體包括至少兩個蒸氣噴射器以及位于所述中央殼體的兩個相對側(cè)上的基底入口(7)和基底出口(8)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述中央殼體(6)的內(nèi)壁適合于在高于金屬或金屬合金蒸氣的冷凝溫度的溫度下被加熱。

14.一種金屬基底，能夠由根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的方法獲得，所述金屬基底在所述基底的兩側(cè)上涂覆有具有平均厚度的至少一種金屬，其中涂層是被均勻地沉積的，使得所述涂層的最大厚度能夠超過所述平均厚度最大15％，并且，所述涂層的厚度為0.1μm至20μm。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的金屬基底，其中所述涂層選自：鋅、鉻、鎳、鈦、錳、鎂、硅和鋁或其混合物。

16.根據(jù)權(quán)利要求14或15中任一項所述的金屬基底，其中所述金屬基底為鋼基底。