[發(fā)明專利]用于形成半導體層的方法和材料沉積系統(tǒng)

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201980038891.0
• 申請日: 2019-05-29
• 公開（公告）號: CN112262463A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設計）人: P.阿塔納科維奇
• 申請（專利權）人: 斯蘭納UV科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02;H01L21/285
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王蕊瑞

1.一種光電子裝置，所述光電子裝置包括：

基板；以及

多區(qū)堆疊，所述多區(qū)堆疊外延地沉積在所述基板上，其中所述多區(qū)堆疊包括沿著生長方向具有氧極性晶體結構或金屬極性晶體結構的晶體極性，并且其中所述多區(qū)堆疊包括：

包括緩沖層的第一區(qū)；

包括晶體結構改善層的第二區(qū)；

包括第一導電類型的第三區(qū)；

包括本征導電類型層的第四區(qū)；以及

包括第二導電類型的第五區(qū)，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反；

其中所述多區(qū)堆疊的至少一個區(qū)是包含Mg_(x)Zn_(1-x)O的塊體半導體材料；并且

其中所述多區(qū)堆疊的至少一個區(qū)是包含以下各者中的至少兩者的超晶格：ZnO、MgO和Mg_(x)Zn_(1-x)O。

2.如權利要求1所述的裝置，其中所述第三區(qū)或所述第五區(qū)中的至少一者是通過將硅、鍺、氮、鋁、鎵、鎳或磷中的至少一者引入到所述氧極性晶體結構或金屬極性晶體結構中而形成。

3.如權利要求1所述的裝置，其中所述第三區(qū)或所述第五區(qū)中的至少一者是使用Mg_(x)Zn_(1-x)O形式的塊體組合物的組成分級而形成，其中x是空間相關的并且沿著所述生長方向變化。

4.如權利要求1所述的裝置，其中：

所述第三區(qū)或所述第五區(qū)中的至少一者包括所述超晶格，所述超晶格具有由Mg_(x)Zn_(1-x)O和Mg_(y)Zn_(1-y)O形成的多個子層對，其中x≠y；

所述超晶格是使用所述超晶格的有效合金組合物的組成分級而形成；并且

所述超晶格的所述有效合金組合物在空間上沿著所述生長方向變化。

5.一種光電子裝置，所述光電子裝置包括：

基板；以及

多區(qū)堆疊，所述多區(qū)堆疊外延地沉積在所述基板上，其中所述多區(qū)堆疊包括沿著生長方向的非極性晶體材料結構，其中所述多區(qū)堆疊包括：

包括緩沖層的第一區(qū)；

包括晶體結構改善層的第二區(qū)；

包括第一導電類型的第三區(qū)；

包括本征導電類型層的第四區(qū)；以及

包括第二導電類型的第五區(qū)，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反；

其中所述多區(qū)堆疊的至少一個區(qū)是包括Mg_(x)Zn_(1-x)O的塊體半導體材料；并且

其中所述多區(qū)堆疊的至少一個區(qū)是包括以下各者中的至少兩者的超晶格：ZnO、MgO和Mg_(x)Zn_(1-x)O。

6.如權利要求5所述的裝置，其中所述第三區(qū)或所述第五區(qū)中的至少一者是通過將硅、鍺、氮、鋁、鎵、鎳或磷中的至少一者引入到所述非極性晶體材料結構中而形成。

7.如權利要求5所述的裝置，其中：

所述第三區(qū)或所述第五區(qū)中的至少一者包括所述超晶格，所述超晶格具有由Mg_(x)M_(1-x)O和Mg_(y)M_(1-y)O形成的多個子層對，其中x≠y并且M選自Zn、Al、Ga、Ni、N和P；

所述超晶格是使用所述超晶格的有效合金組合物的組成分級而形成；并且

所述超晶格的所述有效合金組合物沿著所述生長方向變化。

8.如權利要求5所述的裝置，其中所述多區(qū)堆疊由Mg_(x)M_(1-x)O組合物組成，其中0.55＜x≤1.0，并且M選自Zn、Al、Ga、Ni、N和P。