[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 201980037471.0
• 申請日: 2019-06-19
• 公開（公告）號: CN112243534A
• 公開（公告）日: 2021-01-19
• 發明（設計）人: 久保佑介;博洛托夫·謝爾蓋
• 申請（專利權）人: 迪睿合電子材料有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/00;H05K7/20;H05K9/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 周春燕;金玉蘭

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體元件，其形成于基板上；

導電性的冷卻部件，其設置于所述半導體元件的上部；以及

導電性導熱部件，其設置于所述半導體裝置與所述冷卻部件之間，并含有樹脂的固化物，

所述導電性導熱部件連接于所述基板中的接地端，并且將所述冷卻部件與所述接地端電連接。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述導電性導熱部件以覆蓋所述半導體元件的方式設置，并且與所述半導體元件的上表面和側面中的至少一部分抵接。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

所述導電性導熱部件封裝所述半導體元件的上表面和側面。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述導電性導熱片的電阻率為0.15Ω·m以下。

5.根據權利要求1～4中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述導電性導熱片的電阻率為0.00001Ω·m以上。

6.根據權利要求1～5中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述導電性導熱片具有磁性。

7.根據權利要求1～6中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述導電性導熱片在表面具有粘合性或者粘接性。

8.根據權利要求1～7中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述導電性導熱片具有柔軟性。

9.根據權利要求1～8中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述電磁波吸收導熱片含有導電性的填充劑。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其特征在于，

所述導電性的填充劑為碳纖維。

11.根據權利要求1～9中的任一項所述的半導體裝置，其特征在于，

所述基板中的所述接地端以外的部分被進行了絕緣處理。

12.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，是權利要求1～11中的任一項所述的半導體裝置的制造方法，包括：

通過使含有樹脂的固化物的片狀的導電性導熱部件壓接于半導體元件上，來將所述半導體元件與所述導電性導熱部件接合，并且將所述導電性導熱部件與接地端接合的工序。