[發明專利]以使用烷基鹵化物生成的反應性核素處理工件

在審

• 申請號: 201980035634.1
• 申請日: 2019-04-10
• 公開（公告）號: CN112219266A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 楊曉晅;仲華;呂新亮
• 申請（專利權）人: 瑪特森技術公司;北京屹唐半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67;C09K13/00
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 王艷波;郗名悅

提供了用于從工件上的膜，比如金屬氮化物膜去除材料的方法。一個示例實施涉及用于處理工件的方法。工件可包括膜(例如，金屬氮化物膜)。方法可包括生成一種或多種核素(例如，氫自由基、激發的惰性氣體分子等)。方法可包括將烷基鹵化物與一種或多種核素混合，以生成一種或多種烷基自由基。方法可包括將膜暴露于一種或多種烷基自由基。

優先權聲明

本申請要求于2018年4月13日提交的名稱為“Processing of Workpieces WithReactive Species Generated Using Alkyl Halide(以使用烷基鹵化物生成的反應性核素處理工件)”的美國臨時申請系列號62/657,114的優先權的權益，其通過引用并入本文。本申請要求于2018年4月16日提交的名稱為“Processing of Workpieces With ReactiveSpecies Generated Using Alkyl Halide(以使用烷基鹵化物生成的反應性核素處理工件)”的美國臨時申請系列號62/658,117的優先權的權益，其通過引用并入本文。

技術領域

本公開總體上涉及用使用烷基鹵化物生成的反應性核素處理工件。

背景技術

等離子體處理在半導體工業中廣泛用于半導體晶片和其他基材的沉積、刻蝕、抗蝕劑去除(resist removal)以及相關的處理。等離子體源(例如，微波、ECR、感應等)通常用于等離子體處理，以產生用于處理基材的高密度等離子體和反應性核素。使用等離子干式剝離(dry strip)工藝已經實現了注入后的光抗蝕劑、刻蝕后的殘留物和其他掩膜和/或材料的去除。在等離子體干式剝離工藝中，來自在遠程等離子體腔室中生成的等離子體的中性顆粒通過分離柵進入處理腔室中，以處理工件，比如半導體晶片。在等離子體刻蝕工藝中，直接暴露于工件的等離子體中生成的自由基、離子和其他核素可用于刻蝕和/或去除工件上的材料。

發明內容

本公開的實施方式的方面和優點部分將在以下描述中陳述，或可從描述中得知，或可通過實施方式的實踐而得知。

本公開的一個示例方面涉及用于處理工件的方法。工件可包括膜(例如，金屬氮化物膜)。方法可包括生成一種或多種核素(例如，氫自由基、激發的惰性氣體分子等)。方法可包括將烷基鹵化物與一種或多種核素混合，以生成一種或多種烷基自由基。方法可包括將膜暴露于一種或多種烷基自由基。

參考以下描述和所附的權利要求，各種實施方式的這些和其他特征、方面和優點將變得更好理解。并入本說明書中并且構成本說明書的一部分的附圖闡釋了本公開的實施方式，并且與描述一起用來解釋相關的原理。

附圖說明

參考附圖，在說明書中陳述了指導本領域技術人員的實施方式的詳細討論，其中：

圖1描繪了根據本公開的示例實施方式的示例等離子體處理裝置；

圖2描繪了根據本公開的示例實施方式的示例方法的流程圖；

圖3描繪了根據本公開的示例實施方式，將烷基鹵化物與一種或多種氫自由基混合的示例；

圖4描繪了根據本公開的示例實施方式，將烷基鹵化物與一種或多種氫自由基混合的示例；

圖5描繪了根據本公開的示例實施方式的示例等離子體處理裝置；

圖6描繪了根據本公開的示例實施方式的示例等離子體處理裝置；以及

圖7描繪了根據本公開的示例實施方式的示例方法的流程圖。

具體實施方式