[發明專利]以使用烷基鹵化物生成的反應性核素處理工件

在審

• 申請號: 201980035634.1
• 申請日: 2019-04-10
• 公開（公告）號: CN112219266A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 楊曉晅;仲華;呂新亮
• 申請（專利權）人: 瑪特森技術公司;北京屹唐半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67;C09K13/00
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務所 11313
• 代理人: 王艷波;郗名悅

1.一種用于處理工件的方法，所述工件包括膜，所述方法包括：

通過使用等離子體源在工藝氣體中誘導等離子體而生成一種或多種核素；

將烷基鹵化物與所述一種或多種核素混合，以生成一種或多種烷基自由基；

將所述膜暴露于所述一種或多種烷基自由基。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述一種或多種烷基鹵化物具有C_nH_2n+1X的化學式，其中n的范圍為1至5并且X為F、Cl、Br或I。

3.根據權利要求2所述的方法，其中所述烷基自由基包括CH₃自由基。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述膜包括含有金屬和氮的膜。

5.根據權利要求5所述的方法，其中所述膜包括氮化鈦。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述膜包括氮化鉭。

7.根據權利要求1所述的方法，其中將烷基鹵化物與所述一種或多種核素混合包括生成一種或多種烷基自由基和鹵化氫。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述鹵化氫包括HF、HCl、HBr或HI。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述工藝氣體包括氫并且所述核素包括氫自由基。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述工藝氣體為惰性氣體。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述惰性氣體為氦。

12.根據權利要求1所述的方法，其中所述一種或多種核素包括使用加熱的絲生成的氫自由基。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述一種或多種核素在第一腔室中生成，所述工件放置在通過分離柵與所述第一腔室分開的第二腔室中，其中所述分離柵可操作地過濾在所述第一腔室中生成的一種或多種離子。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述烷基鹵化物在所述分離柵處或在分離柵之后被注入至所述一種或多種核素中。

15.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法進一步包括在含有所述工件的處理腔室中生成包括烷基自由基、氫離子和鹵化物離子的混合物。

16.根據權利要求15所述的方法，其中所述方法包括將所述烷基自由基、氫離子和鹵化物離子暴露于所述膜。

17.根據權利要求16所述的方法，其中使用在含有所述工件的所述處理腔室中生成的等離子體，由烷基自由基和鹵化氫生成所述包括烷基自由基、氫離子和鹵化物離子的混合物。

18.根據權利要求17所述的方法，其中在所述處理腔室中使用可操作地支撐所述工件的基座中的偏置源生成所述等離子體。

19.一種用于處理包含含有金屬和氮的膜的工件的方法，所述方法包括：

在第一腔室中的混合物中生成一種或多種核素；

過濾所述第一腔室中的一種或多種離子，以生成過濾的混合物；

將一種或多種烷基鹵化物注入所述過濾的混合物中，以生成一種或多種烷基自由基；

將所述含有金屬和氮的膜暴露于第二腔室中的所述一種或多種烷基自由基，所述第二腔室與所述第一腔室分開。

20.根據權利要求19所述的方法，其中所述第一腔室通過分離柵與所述第二腔室分開。