[發明專利]組合物和蝕刻方法有效
| 申請號: | 201980033210.1 | 申請日: | 2019-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN112135927B | 公開(公告)日: | 2022-06-24 |
| 發明(設計)人: | 正元祐次;阿部徹司;千葉廣之;野口裕太 | 申請(專利權)人: | 株式會社ADEKA |
| 主分類號: | C23F1/18 | 分類號: | C23F1/18;H01L21/308;H05K3/06 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 組合 蝕刻 方法 | ||
提供一種組合物和蝕刻方法,其可抑制殘膜的發生且形成直線性高、尺寸精度優異的微細的圖案,對銅系層等金屬層的蝕刻有用。一種組合物,其為含有如下成分的水溶液:(A)選自銅離子和鐵離子中的至少1種成分0.1~25質量%;(B)氯化物離子0.1~30質量%;(C)下述通式(1)(R1為單鍵等,R2和R3為碳原子數1~4的亞烷基,R4和R5為氫原子等,n為數均分子量成為550~1400的數)所示的、數均分子量550~1400的化合物0.01~10質量%;(D)下述通式(2)(R6為正丁基,R7為碳原子數2~4的亞烷基,m為1~3的整數)所示的化合物0.01~10質量%;和水。
技術領域
本發明涉及含有特定結構的化合物的組合物和使用其的蝕刻方法。
背景技術
作為印刷電路板、半導體封裝體基板等的電路形成法,已知有:事后對基板附加電路圖案的添加法、從基板上的金屬箔去除不需要的部分而形成電路圖案的消減法(蝕刻法)。目前,在印刷電路板的制造中通常采用制造成本低的消減法(蝕刻法)。而且,隨著近年來電子器件的小型化和高性能化,推進了能在印刷電路板上形成直線性高的微細的圖案的蝕刻液的開發。
例如,專利文獻1中,作為蝕刻液,公開了一種含有氯化鐵、草酸和乙二胺四聚氧乙烯聚氧丙烯的銅或銅合金用蝕刻液。另外,專利文獻2中,公開了一種含有氯化亞鐵、二醇醚類化合物、乙二胺四聚氧乙烯聚氧丙烯、磷酸和鹽酸的含銅材料用蝕刻液。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2012-107286號公報
專利文獻2:日本特開2009-167459號公報
發明內容
然而,上述專利文獻所公開的蝕刻液中,存在如下問題:難以形成具有高直線性和期望的尺寸精度的微細的圖案、或容易發生成為斷路、短路的原因的殘膜。
因此,本發明是為了解決上述問題而作出的,其課題在于,提供一種組合物,其可抑制殘膜的發生且形成直線性高、尺寸精度優異的微細的圖案,對銅系層等金屬層的蝕刻有用。另外,本發明的課題在于,提供使用上述組合物的蝕刻方法。
本發明人等為了解決上述課題而反復深入研究,結果發現含有特定的成分的組合物能解決上述問題,得到了本發明。
即,根據本發明,提供一種組合物,其為含有如下成分的水溶液:(A)選自銅離子和鐵離子中的至少1種成分0.1~25質量%;(B)氯化物離子0.1~30質量%;(C)下述通式(1)所示的、數均分子量550~1400的化合物0.01~10質量%;(D)下述通式(2)所示的化合物0.01~10質量%;和水。
(前述通式(1)中,R1表示單鍵、或碳原子數1~4的直鏈或支鏈狀的亞烷基,R2和R3各自獨立地表示碳原子數1~4的直鏈或支鏈狀的亞烷基,R4和R5各自獨立地表示氫原子、或碳原子數1~4的直鏈或支鏈狀的烷基,n各自獨立地表示前述通式(1)所示的化合物的數均分子量成為550~1400的數)
(前述通式(2)中,R6表示正丁基,R7表示碳原子數2~4的直鏈狀或支鏈狀的亞烷基,m表示1~3的整數)
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