[發明專利]光電子器件

在審

• 申請號: 201980032433.6
• 申請日: 2019-04-02
• 公開（公告）號: CN112262482A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 安德烈亞斯·賴特;保拉·阿爾鐵里-魏瑪
• 申請（專利權）人: 歐司朗OLED股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;支娜

提出一種光電子器件(20)，具有：載體(21)；光電子半導體芯片(25)；絕緣層(22)，所述絕緣層具有電絕緣材料；和第一接觸層(23)，所述第一接觸層具有導電材料。絕緣層(22)設置在載體(21)上并且具有腔(24)，半導體芯片(25)設置在腔(24)中，第一接觸層(23)在半導體芯片(25)和載體(21)之間和在絕緣層(22)和載體(21)之間設置，并且第一接觸層(23)具有至少一個中斷部(26)，使得載體(21)在腔(24)的區域中至少局部地不具有第一接觸層(23)。

技術領域

提出一種光電子器件。

發明內容

要實現的目的在于，提出一種光電子器件，所述光電子器件可以有效率地運行。

根據光電子器件的至少一個實施方式，光電子器件包括載體。載體例如可以是連接載體、電路板、印刷電路板或是金屬芯電路板。載體可以是三維體并且例如具有圓柱、圓盤或長方體的形狀。載體尤其具有主延伸平面。載體的主延伸平面例如平行于載體的表面，例如覆蓋面伸展。載體可以具有電絕緣材料，例如介電材料。光電子器件同樣可以具有主延伸平面，所述主延伸平面平行于載體的主延伸平面。

根據光電子器件的至少一個實施方式，光電子器件包括光電子半導體芯片。半導體芯片可以設計用于在運行中發射或探測電磁輻射，尤其光。半導體芯片例如是發光二極管芯片，如發射光的二極管芯片或激光二極管芯片。替選地，半導體芯片可以構成用于探測電磁輻射，尤其光。那么例如半導體芯片是光電二極管。

根據光電子器件的至少一個實施方式，光電子器件包括絕緣層，所述絕緣層具有電絕緣材料。絕緣層例如可以具有介電材料。例如絕緣層可以具有如下材料，所述材料由環氧樹脂形成。絕緣層例如具有材料FR4或由材料FR4構成。

根據光電子器件的至少一個實施方式，光電子器件包括第一接觸層，所述第一接觸層具有導電材料。第一接觸層可以具有或是金屬，例如銅。第一接觸層至少部段地平行于載體的主延伸平面延伸。

根據光電子器件的至少一個實施方式，絕緣層設置在載體上并且具有腔。絕緣層可以與載體連接，例如通過焊料工藝連接。在絕緣層和載體之間可以設置有連接材料。替選地，絕緣層與載體處于直接接觸。載體于是例如由絕緣層的材料覆層，其中材料在施加到載體上之后硬化。絕緣層可以在光電子器件的側棱上與載體齊平，使得絕緣層沿橫向方向不伸出載體，其中橫向方向平行于載體的主延伸平面伸展。腔可以設置為，使得所述腔沿橫向方向完全地由絕緣層和可能由連接材料包圍。腔于是形成在絕緣層中的凹部。

根據光電子器件的至少一個實施方式，半導體芯片設置在腔中。半導體芯片可以在腔中設置成，使得所述半導體芯片沿橫向方向完全地由絕緣層包圍。此外，半導體芯片間接地或直接地設置在載體上。半導體芯片可以通過連接材料與載體連接。也就是說，連接材料設置在半導體芯片和載體之間。此外，器件的另一組件——例如接觸層——設置在載體和半導體芯片之間。在將半導體芯片引入到腔中之后，腔可以被填充。例如，將腔用透明材料填充，所述透明材料對于由半導體芯片發射或探測的電磁輻射是可穿透的。

根據光電子器件的至少一個實施方式，第一接觸層設置在半導體芯片和載體之間和絕緣層和載體之間。也可以說，第一接觸層至少局部地設置在半導體芯片和載體之間和至少局部地設置在絕緣層和載體之間。第一接觸層尤其沿豎直方向設置在半導體芯片和載體之間和設置在絕緣層和載體之間，其中豎直方向垂直于載體的主延伸平面伸展。在半導體芯片和第一接觸層之間可以設置有連接材料，如例如尤其導電的粘結劑或焊料材料。第一接觸層可以設置在載體上。半導體芯片與第一接觸層導電連接。