[發(fā)明專利]光電子器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980032433.6
• 申請日: 2019-04-02
• 公開（公告）號: CN112262482A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設計）人: 安德烈亞斯·賴特;保拉·阿爾鐵里-魏瑪
• 申請（專利權）人: 歐司朗OLED股份有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/48;H01L33/64
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 丁永凡;支娜

1.一種光電子器件(20)，所述光電子器件具有：

-載體(21)；

-光電子半導體芯片(25)；

-絕緣層(22)，所述絕緣層具有電絕緣材料；和

-第一接觸層(23)，所述第一接觸層具有導電材料，其中

-所述絕緣層(22)設置于所述載體(21)且具有腔(24)，

-所述半導體芯片(25)設置在所述腔(24)中，

-所述第一接觸層(23)設置在所述半導體芯片(25)和所述載體(21)之間以及在所述絕緣層(22)和所述載體(21)之間，并且

-所述第一接觸層(23)具有至少一個中斷部(26)，使得所述載體(21)在所述腔(24)的區(qū)域中至少局部地不具有所述第一接觸層(23)。

2.根據(jù)上一項權利要求所述的光電子器件(20)，

其中所述腔(24)完全地穿過所述絕緣層(22)從背離所述載體(21)的上側(cè)(27)延伸至所述載體(21)。

3.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的光電子器件(20)，

其中所述半導體芯片(25)和所述絕緣層(22)彼此無接觸地設置。

4.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的光電子器件(20)，

其中具有導電材料的第二接觸層(31)至少局部地設置在所述載體(21)的背離所述絕緣層(22)的下側(cè)(30)上并且具有至少一個中斷部(26)，使得所述載體(21)在所述腔(24)的區(qū)域中至少局部地不具有所述第二接觸層(31)。

5.根據(jù)上一項權利要求所述的光電子器件(20)，

其中所述第一接觸層(23)與所述第二接觸層(31)導電連接。

6.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的光電子器件(20)，

其中設有第三接觸層(32)，其至少局部地設置在所述絕緣層(22)的背離所述載體(21)的上側(cè)(27)，所述第三接觸層具有導電材料。

7.根據(jù)上一項權利要求所述的光電子器件(20)，

其中所述第三接觸層(32)完全地覆蓋所述絕緣層(22)的上側(cè)(27)。

8.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的光電子器件(20)，

其中所述光電子半導體芯片(25)在背離所述載體(21)的一側(cè)具有電接觸部(28)。

9.根據(jù)上一項權利要求所述的光電子器件(20)，

其中所述光電子半導體芯片(25)的所述電接觸部(28)與在所述載體(21)的背離所述絕緣層(22)的下側(cè)(30)的電端子(29)導電連接。

10.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的光電子器件(20)，

所述光電子器件是可表面安裝的。

11.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的光電子器件(20)，

所述光電子器件不具有沿橫向方向(x)在所述光電子器件(20)的整個擴展上延伸的導電層，其中所述橫向方向(x)平行于所述光電子器件(20)的主延伸平面。

12.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的光電子器件(20)，

其中所述光電子半導體芯片(25)從所述絕緣層(22)沿豎直方向(z)伸出或者與所述絕緣層齊平，其中所述豎直方向(z)垂直于所述光電子器件(20)的主延伸平面。

13.根據(jù)上述權利要求中任一項所述的光電子器件(20)，

其中設有第三接觸層(32)，其至少局部地設置在所述絕緣層(22)的背離所述載體(21)的上側(cè)(27)且所述第三接觸層(32)完全地覆蓋所述絕緣層(22)的上側(cè)(27)，所述第三接觸層具有導電材料，其中所述光電子器件(20)不具有沿橫向方向(x)在所述光電子器件(20)的整個擴展上延伸的導電層，其中所述橫向方向(x)平行于所述光電子器件(20)的主延伸平面。