[發明專利]具有長運動能力的精確動態調平機構在審
| 申請號: | 201980023657.0 | 申請日: | 2019-05-03 |
| 公開(公告)號: | CN111937133A | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發明(設計)人: | J·M·舒浩勒;M·羅勒;T·A·恩古耶 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 汪駿飛;侯穎媖 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 運動 能力 精確 動態 機構 | ||
本文描述的實施例涉及用于在處理內重復定位基座的精確動態調平機構。精密動態調平機構包括軸承組件。具有抵靠基座組件支架的內座圈和抵靠導向配接器的外座圈的軸承組件在內座圈與外座圈之間提供標稱間隙,以允許內座圈和外座圈在最小或沒有徑向運動的情況下彼此滑動。
技術領域
本公開的實施例一般涉及用于在處理腔室內處理基板的設備。
背景技術
當改善在基板表面上執行的處理的均勻性時,大多數半導體組件形成處理得到改善。可影響沉積、蝕刻或熱處理工藝的均勻性的參數中的一個是在處理期間基板相對于在處理腔室中發現的腔室部件中的一個或多個(諸如噴頭)的位置。結果是,處理系統通常設計成在處理步驟中的一個或多個期間相對于處理腔室中的腔室部件中的一個或多個提供均勻和可重復的基板放置。
氧化物和氮化物化學氣相沉積工藝各自對基座相對于腔室部件中的一個或多個(諸如噴頭)的傾斜和位置具有不同的均勻性響應。這些材料以層迭氧化物和氮化物薄膜的交替工藝沉積在同一腔室中。為了確保最佳的工藝結果,每一層需要相對于噴頭的獨立調整的基座傾斜和位置,以達成最佳的工藝結果。目前,基座位置和定向無法自動以預定的位置分辨率來移動。
因此,需要一種精確動態調平機構,用于以改善的位置分辨率將基座重復地定位在處理腔室內。
發明內容
在一個實施例中,提供了一種提升組件。提升組件包括:底部托架;基座組件支架,所述基座組件支架被配置為支撐包括桿和基座的基座組件;以及三個或更多個伺服電動機組件,所述伺服電動機組件每一個經由樞軸關節附接到底部托架并通過三個或更多個軸承組件附接到基座組件支架。每個軸承組件包括:導向配接器,所述導向配接器連接到導向致動器和提升組件的基座組件支架;以及螺栓和彈簧,所述螺栓和所述彈簧插入穿過導向配接器中的凹槽,以將軸承連接到基座組件支架。軸承具有內座圈和外座圈。內座圈抵靠基座組件支架,并且外座圈抵靠導向配接器。
在另一個實施例中,提供了一種球形推力軸承組件。球形推力軸承組件包括:導向配接器,所述導向配接器連接到導向致動器和提升組件的基座組件支架。提升組件包括:底部托架;基座組件支架,所述基座組件支架被配置為支撐包括桿和基座的基座組件;以及三個或更多個伺服電動機組件。每個伺服電動機組件經由樞軸關節附接到底部托架并通過軸承組件附接到基座組件支架。螺栓和彈簧插入穿過導向配接器中的凹槽,以將軸承連接到基座組件支架。軸承具有內座圈和外座圈。內座圈抵靠基座組件支架,并且外座圈抵靠導向配接器。
在又一個實施例中,提供了一種腔室。腔室包括:腔室蓋;多個腔室壁;腔室底部;處理區域,所述處理區域由腔室蓋、多個腔室壁和腔室底部來限定。腔室也包括提升組件。提升組件包括:底部托架;基座組件支架,所述基座組件支架被配置為支撐包括桿和基座的基座組件;三個或更多個伺服電動機組件,所述伺服電動機組件每一個經由樞軸關節附接到底部托架并通過三個或更多個軸承組件附接到基座組件支架。桿定位穿過腔室底部和底部托架的開口,并且基座設置在處理區域中。每個軸承組件包括:導向配接器,所述導向配接器連接到導向致動器和提升組件的基座組件支架;以及螺栓和彈簧,所述螺栓和所述彈簧插入穿過導向配接器中的凹槽,以將軸承連接到基座組件支架。軸承具有內座圈和外座圈。內座圈抵靠基座組件支架,并且外座圈抵靠導向配接器。
附圖說明
因此,可詳細地理解本公開的上述特征的方式,可通過參考實施例獲得上文簡要概述的本公開的更具體的描述,其中一些實施例在附圖中示出。然而,應注意的是,附圖僅示出了示例性實施例,且因此不應被視為對范圍的限制,因為本公開可允許其他同等有效的實施例。
圖1是根據一個實施例的化學氣相沉積系統的示意性橫截面視圖。
圖2A是根據一個實施例的提升組件的示意性橫截面視圖。
圖2B是根據一個實施例的軸承組件的示意性橫截面視圖。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于應用材料公司,未經應用材料公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980023657.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





