[發(fā)明專利]用于掃描曝光裝置的控制方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980023117.2
• 申請(qǐng)日: 2019-02-12
• 公開（公告）號(hào): CN111936934B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: V·阿爾蒂尼;F·斯塔爾斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 董莘

公開了一種用于控制掃描曝光裝置的方法，該掃描曝光裝置被配置用于掃描襯底上的照射輪廓以在襯底上形成功能區(qū)域。該方法包括：在掃描曝光操作中，確定用于在包括功能區(qū)域的曝光場(chǎng)的曝光期間動(dòng)態(tài)控制照射輪廓的控制輪廓；以及優(yōu)化個(gè)體功能區(qū)域的曝光質(zhì)量。該優(yōu)化可以包括：a)在掃描方向上將控制輪廓擴(kuò)展到曝光場(chǎng)的范圍之外；和/或b)對(duì)控制輪廓應(yīng)用去卷積方案，其中去卷積方案的結(jié)構(gòu)基于照射輪廓在掃描方向上的尺寸。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2018年3月29日提交的EP申請(qǐng)18164962.5和于2018年7月12日提交的NL申請(qǐng)2021296的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及用于在光刻工藝中將圖案施加到襯底上和/或測(cè)量上述圖案的方法和裝置。

背景技術(shù)

光刻裝置是一種將期望圖案施加到襯底上、通常是施加到襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。光刻裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將圖案化裝置(其替代地稱為掩模或掩模版)用于生成要形成在IC的單個(gè)層上的電路圖案。該圖案可以被轉(zhuǎn)印到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，該目標(biāo)部分包括一個(gè)管芯或若干管芯的一部分)上。圖案的轉(zhuǎn)印通常是經(jīng)由成像到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來(lái)進(jìn)行的。通常，單個(gè)襯底將包含連續(xù)被圖案化的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光刻裝置包括：所謂的步進(jìn)器，其中通過將整個(gè)圖案一次曝光到目標(biāo)部分上來(lái)照射每個(gè)目標(biāo)部分；以及所謂的掃描器，其中通過在給定方向(“掃描”方向)上通過輻射束來(lái)掃描圖案同時(shí)同步地平行于該方向或反平行于該方向掃描襯底而照射每個(gè)目標(biāo)部分。也可以通過將圖案壓印到襯底上來(lái)將圖案從圖案化裝置轉(zhuǎn)印到襯底上。

為了監(jiān)測(cè)光刻工藝，測(cè)量圖案化襯底的參數(shù)。例如，參數(shù)可以包括形成在被圖案化的襯底中或上的連續(xù)層之間的覆蓋誤差(overlay?error)、以及被顯影的光致抗蝕劑的臨界線寬(CD)。該測(cè)量可以在產(chǎn)品襯底和/或?qū)Ｓ昧繙y(cè)目標(biāo)上執(zhí)行。有多種技術(shù)用于測(cè)量在光刻工藝中形成的微觀結(jié)構(gòu)，包括使用掃描電子顯微鏡和各種專用工具。一種快速且無(wú)創(chuàng)形式的專用檢查工具是散射儀，其中輻射束被引導(dǎo)到襯底表面上的目標(biāo)上，并且被散射的束或被反射的束的屬性被測(cè)量。散射儀的兩種主要類型是已知的。光譜散射儀將寬帶輻射束引導(dǎo)到襯底上，并且測(cè)量散射到特定窄角度范圍內(nèi)的輻射的光譜(隨波長(zhǎng)而變化的強(qiáng)度)。角分辨散射儀使用單色輻射束，并且測(cè)量散射輻射的隨角度而變化的強(qiáng)度。

已知散射儀的示例包括在US2006033921A1和US2010201963A1中描述的類型的角度分辨散射儀。這種散射儀使用的目標(biāo)是相對(duì)較大(例如，40μm×40μm)的光柵，并且測(cè)量射束生成的光點(diǎn)小于光柵(即，光柵未充滿)。除了通過重構(gòu)來(lái)測(cè)量特征形狀，還可以使用這種裝置來(lái)測(cè)量基于衍射的套刻(overlay)，如公開專利申請(qǐng)US2006066855A1中所述。使用衍射級(jí)的暗場(chǎng)成像的基于衍射的套刻量測(cè)可以在較小的目標(biāo)上進(jìn)行套刻測(cè)量。暗場(chǎng)成像量測(cè)的示例可以在國(guó)際專利申請(qǐng)WO?2009/078708和WO?2009/106279中找到，這些文獻(xiàn)的全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。該技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展在公開的專利出版物US20110027704A、US20110043791A、US2011102753A1、US20120044470A、US20120123581A、US20130258310A、US20130271740A和WO2013178422A1中有描述。這些目標(biāo)可以小于照射光點(diǎn)，并且可能被晶片上的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)所圍繞。使用復(fù)合光柵目標(biāo)，可以在一個(gè)圖像中測(cè)量多個(gè)光柵。所有這些申請(qǐng)的內(nèi)容也通過引用并入本文。

在執(zhí)行光刻工藝時(shí)，諸如在襯底上施加圖案或測(cè)量這種圖案時(shí)，使用工藝控制方法來(lái)監(jiān)測(cè)和控制工藝。通常執(zhí)行這種工藝控制技術(shù)以獲取跨襯底(場(chǎng)間)和場(chǎng)之內(nèi)(場(chǎng)內(nèi))過程指紋的校正。期望改進(jìn)這樣的工藝控制方法。