[發明專利]表面發射激光器陣列,檢測設備和激光器設備在審
| 申請號: | 201980019686.X | 申請日: | 2019-03-14 |
| 公開(公告)號: | CN111869022A | 公開(公告)日: | 2020-10-30 |
| 發明(設計)人: | 沼田雅之;池應敏行;泉谷一磨;植野剛;軸谷直人 | 申請(專利權)人: | 株式會社理光 |
| 主分類號: | H01S5/183 | 分類號: | H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 王增強 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 表面 發射 激光器 陣列 檢測 設備 | ||
1.一種表面發射激光器陣列,包括:
多個表面發射激光器元件,布置在基板的第一表面上并配置為沿與第一表面交叉的方向發射光;
多個光學元件,布置在與基板的第一表面相反的第二表面上,以對應于表面發射激光器元件并被配置為改變光的輻射角;和
光屏蔽構件,布置在基板的第二表面上的光學元件之間的區域中。
2.根據權利要求1所述的表面發射激光器陣列,其中,所述光屏蔽構件覆蓋所述光學元件的外圍部分。
3.根據權利要求2所述的表面發射激光器陣列,其中,所述光學元件上的由所述光屏蔽構件覆蓋的區域是等于或小于所述光學元件的直徑的10%的區域。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的表面發射激光器陣列,其中,所述光屏蔽構件還用作所述基板的第二表面上的電極。
5.根據權利要求1至3中任一項所述的表面發射激光器陣列,還包括背面電極,該背面電極由透明導電材料制成并且設置在所述第二表面上的光學元件和光屏蔽構件上。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的表面發射激光器陣列,其中,
基板是GaAs基板,和
表面發射激光器元件包括由InGaAs制成的有源層。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的表面發射激光器陣列,其中,由所述表面發射激光器元件發射的光的峰值波長落在910至970納米的范圍內。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的表面發射激光器陣列,其中,所述基板的厚度t由表達式(1)表示,所述基板內部的光的輻射角由θ表示。表面發射激光器元件之間的間距由X表示,每個光學元件的直徑由表示,表面發射激光器元件中的每個的光發射區域由a表示。
9.一種檢測設備,包括:
根據權利要求1至8中任一項所述的表面發射激光器陣列;和
光接收器,配置為接收從表面發射激光器陣列的表面發射激光器元件發射的光。
10.一種激光器設備,包括:
根據權利要求1至8中任一項所述的表面發射激光器陣列;和
包括固態激光介質的激光諧振器,該激光諧振器使從表面發射激光器陣列發射的光諧振。
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