[發(fā)明專利]復(fù)合燒結(jié)體、靜電卡盤(pán)部件、靜電卡盤(pán)裝置及復(fù)合燒結(jié)體的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980019370.0
• 申請(qǐng)日: 2019-03-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111886213B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-12-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 日高宣浩;木村直人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友大阪水泥股份有限公司
• 主分類號(hào): C04B35/117
• 分類號(hào): C04B35/117;H01L21/683
• 代理公司: 上海立群專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31291
• 代理人: 陳亦歐;毛立群

本發(fā)明的復(fù)合燒結(jié)體為含有作為主相的金屬氧化物和作為副相的碳化硅的陶瓷復(fù)合燒結(jié)體，所述碳化硅的晶粒分散在所述金屬氧化物的晶粒內(nèi)及所述金屬氧化物的晶界上，分散在所述金屬氧化物的晶界上的所述碳化硅的平均晶體粒徑為0.30μm以下。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種復(fù)合燒結(jié)體、靜電卡盤(pán)部件、靜電卡盤(pán)裝置及復(fù)合燒結(jié)體的制造方法。

本申請(qǐng)主張基于2018年3月22日于日本申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)2018-055209號(hào)的優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容援用于此。

背景技術(shù)

在實(shí)施等離子體工序的半導(dǎo)體制造裝置中，使用能夠?qū)鍫钤嚇?晶片)簡(jiǎn)單地安裝并固定在試樣臺(tái)上，并且能夠?qū)⒃摼S持在所期望的溫度的靜電卡盤(pán)裝置。靜電卡盤(pán)裝置具備一個(gè)主表面為載置晶片的載置面的基體及在與載置于載置面上的晶片之間產(chǎn)生靜電力(庫(kù)侖力)的靜電吸附用電極(例如，參考專利文獻(xiàn)1)。基體通常以陶瓷燒結(jié)體為形成材料。

在這種靜電卡盤(pán)裝置中，利用在晶片與靜電吸附用電極之間產(chǎn)生的靜電力來(lái)固定晶片。具體而言，在靜電卡盤(pán)裝置中，在固定晶片時(shí)，對(duì)靜電吸附用電極施加電壓，從而在晶片與靜電吸附用電極之間產(chǎn)生靜電力。另一方面，在靜電卡盤(pán)裝置中，在拆除固定在載置面上的晶片時(shí)，停止對(duì)靜電吸附用電極施加電壓，從而使晶片與靜電吸附用電極之間的靜電力消失。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利第4744855號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的技術(shù)課題

在半導(dǎo)體制造裝置中，會(huì)產(chǎn)生構(gòu)成部件的氣蝕或損傷(等離子體腐蝕)。其結(jié)果，存在器件的品質(zhì)因所產(chǎn)生的微粒(顆粒)而降低的技術(shù)課題。例如，若在半導(dǎo)體制造工藝中微細(xì)的微粒掉落在電路上，則會(huì)發(fā)生線路斷裂等不良情況，成為使成品率降低的原因。

在用于半導(dǎo)體制造裝置中的靜電卡盤(pán)裝置中使用的部件也被要求抑制微粒的產(chǎn)生。

本發(fā)明是鑒于這種情況而完成的，其目的在于，提供一種抑制微粒的產(chǎn)生的靜電卡盤(pán)用復(fù)合燒結(jié)體。并且，其目的還在于，提供一種使用這種復(fù)合燒結(jié)體的靜電卡盤(pán)部件、靜電卡盤(pán)裝置。而且，其目的還在于，提供一種能夠容易制造這種復(fù)合燒結(jié)體的復(fù)合燒結(jié)體的制造方法。

用于解決技術(shù)課題的手段

本發(fā)明包括以下[1]至[11]。

[1]一種復(fù)合燒結(jié)體，其為含有作為主相的金屬氧化物和作為副相的碳化硅的陶瓷復(fù)合燒結(jié)體，所述碳化硅的晶粒分散在所述金屬氧化物的晶粒內(nèi)及所述金屬氧化物的晶界上，分散在所述金屬氧化物的晶界上的所述碳化硅的平均晶體粒徑(D50)為0.30μm以下。

[2]根據(jù)[1]所述的復(fù)合燒結(jié)體，其中，分散在所述金屬氧化物的晶粒內(nèi)的所述碳化硅的平均晶體粒徑(D50)為0.20μm以下。

[3]根據(jù)[1]或[2]所述的復(fù)合燒結(jié)體，其中，分散在所述金屬氧化物的晶粒內(nèi)的所述碳化硅的晶粒的比例相對(duì)于全部所述碳化硅的晶粒以面積比計(jì)為40％以上。

[4]根據(jù)[1]至[3]中任一項(xiàng)所述的復(fù)合燒結(jié)體，其中，所述金屬氧化物為氧化鋁或氧化釔。

[5]根據(jù)[1]至[4]中任一項(xiàng)所述的復(fù)合燒結(jié)體，其中，所述金屬氧化物的平均晶體粒徑為1.2μm以上且10μm以下。

[6]一種靜電卡盤(pán)部件，其具有：板狀的基體，以[1]至[5]中任一項(xiàng)所述的復(fù)合燒結(jié)體為形成材料，且一個(gè)主表面為載置板狀試樣的載置面；及靜電吸附用電極，設(shè)置在所述基體的與所述載置面相反的一側(cè)或所述基體的內(nèi)部。

[7]一種靜電卡盤(pán)裝置，其具備[6]所述的靜電卡盤(pán)部件。