[發明專利]屏蔽層、屏蔽層的制造方法及氧化物濺射靶有效
| 申請號： | 201980019072.1 | 申請日： | 2019-04-11 |
| 公開（公告）號： | CN111902561B | 公開（公告）日： | 2022-04-08 |
| 發明（設計）人： | 森理惠;山口剛 | 申請（專利權）人： | 三菱綜合材料株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/08 | 分類號： | C23C14/08;C04B35/01;C23C14/34;G02B1/16;G06F3/041;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁興利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 屏蔽 制造 方法 氧化物 濺射 | ||
【權利要求書】：
1.一種屏蔽層，其配設于顯示面板，所述屏蔽層的特征在于，
由如下氧化物構成：將金屬成分的總計設為100原子％，在60原子％以上且80原子％以下的范圍內包含In，且剩余部分為Si及不可避免的雜質金屬元素，
所述屏蔽層的薄膜電阻在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范圍內，
所述屏蔽層的厚度在7nm以上且25nm以下的范圍內，
將金屬成分的總計設為100原子％，還在1原子％以上且32原子％以下的范圍內包含Zr。
2.根據權利要求1所述的屏蔽層，其特征在于，
所述屏蔽層在波長550nm的透射率為95％以上。
3.一種屏蔽層的制造方法，其特征在于，用于制造權利要求1或2所述的屏蔽層，
所述屏蔽層的制造方法使用由氧化物構成的氧化物濺射靶將氧導入到濺射裝置內，并進行濺射成膜，
所述氧化物中，將金屬成分的總計設為100原子％，包含60原子％以上且80原子％以下的In，且剩余部分為Si及不可避免的雜質金屬元素，
關于所導入的氧量，氧/氬的流量比為0.03以下，
所述屏蔽層的薄膜電阻在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范圍內，
所述氧化物濺射靶中，將金屬成分的總計設為100原子％，還在1原子％以上且32原子％以下的范圍內包含Zr。
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