[發(fā)明專利]屏蔽層、屏蔽層的制造方法及氧化物濺射靶有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980019072.1 | 申請(qǐng)日: | 2019-04-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111902561B | 公開(公告)日: | 2022-04-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 森理惠;山口剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三菱綜合材料株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C14/08 | 分類號(hào): | C23C14/08;C04B35/01;C23C14/34;G02B1/16;G06F3/041;H05K9/00 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 刁興利;康泉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 屏蔽 制造 方法 氧化物 濺射 | ||
一種屏蔽層(20),其配設(shè)于液晶顯示面板(10),該屏蔽層(20)的特征在于,由如下氧化物構(gòu)成:將金屬成分的總計(jì)設(shè)為100原子%,在60原子%以上且80原子%以下的范圍內(nèi)包含In,且剩余部分為Si及不可避免的雜質(zhì)金屬元素,并且,將金屬成分的總計(jì)設(shè)為100原子%,還可以在1原子%以上且32原子%以下的范圍內(nèi)包含Zr。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種在顯示面板中為了防靜電而配設(shè)的屏蔽層、該屏蔽層的制造方法及用于該屏蔽層的制造方法的氧化物濺射靶。
本申請(qǐng)主張基于2018年4月26日于日本申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2018-085459號(hào)及2019年3月29日于日本申請(qǐng)的專利申請(qǐng)2019-068393號(hào)的優(yōu)先權(quán),并將該內(nèi)容物援用于此。
背景技術(shù)
在液晶顯示器、有機(jī)EL顯示器及觸控面板等顯示面板中,為了防止液晶元件、有機(jī)EL元件等的由靜電引起的誤動(dòng)作而配設(shè)有屏蔽層。尤其,在內(nèi)嵌型觸控面板中,對(duì)于上述屏蔽層還要求如下作用:一邊排除來自外部的干擾,一邊使觸控信號(hào)到達(dá)面板內(nèi)部的傳感器部分。
并且,在該屏蔽層中,為了確保顯示面板的視覺辨認(rèn)性,還要求可見光的透射性高。
在此,例如,在專利文獻(xiàn)1中,作為上述屏蔽層,可舉出ITO膜、IZO膜。
在該專利文獻(xiàn)1中,設(shè)為如下結(jié)構(gòu):在配置于液晶元件上的玻璃基板的表面上配設(shè)有偏振膜,且在該偏振膜上層疊上述屏蔽層。
并且,在專利文獻(xiàn)2中,提出了一種在氧化銦錫(ITO)中含有7.2~11.2原子%的硅(Si)的透明導(dǎo)電膜。
專利文獻(xiàn)1:US2013/0329171A1
專利文獻(xiàn)2:日本特開2013-142194號(hào)公報(bào)
因此,如專利文獻(xiàn)1所記載,在作為屏蔽層而使用ITO膜及IZO膜的情況下,可見光下的透射率低,因此看起來像帶有黃色,視覺辨認(rèn)性有可能會(huì)劣化。
并且,在專利文獻(xiàn)2中所記載的透明導(dǎo)電膜中,電阻值高,且光的透射性優(yōu)異,但是耐環(huán)境性不足,在使用環(huán)境下,電阻值、透射性有可能會(huì)劣化。
而且,在上述屏蔽層中,根據(jù)顯示面板的使用狀態(tài),要求優(yōu)異的耐環(huán)境性(耐熱性、耐濕性),以即使在高溫高濕環(huán)境下使用的情況下,電阻值及透射率也不會(huì)改變。
在此,上述ITO膜及IZO膜容易成為晶質(zhì),因此在高溫高濕環(huán)境下使用的情況下,水分等腐蝕性物質(zhì)容易侵入到膜內(nèi)部,電阻值及透射率有可能會(huì)改變。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于前述的情況而完成的,其目的在于提供一種可見光的透射率高,且電阻值足夠高,而且具有優(yōu)異的耐環(huán)境性(耐熱性、耐濕性)的屏蔽層、屏蔽層的制造方法及氧化物濺射靶。
為了解決上述課題,本發(fā)明的屏蔽層配設(shè)于顯示面板,所述屏蔽層的特征在于,由如下氧化物構(gòu)成:將金屬成分的總計(jì)設(shè)為100原子%,在60原子%以上且80原子%以下的范圍內(nèi)包含In,且剩余部分為Si及不可避免的雜質(zhì)金屬元素。
根據(jù)本發(fā)明的屏蔽層,由如下氧化物構(gòu)成:將金屬成分的總計(jì)設(shè)為100原子%,在60原子%以上且80原子%以下的范圍內(nèi)包含In,且剩余部分為Si及不可避免的雜質(zhì)金屬元素,因此可見光的透射率優(yōu)異,且具有足夠高的電阻值。
而且,本發(fā)明的屏蔽層容易成為非晶質(zhì),因此水分等腐蝕性物質(zhì)難以侵入到膜內(nèi)部,即使在高溫高濕環(huán)境下使用的情況下,電阻值及透射率也不會(huì)大幅改變,且具有優(yōu)異的耐環(huán)境性(耐熱性、耐濕性)。
并且,本發(fā)明的屏蔽層具有對(duì)水及醇的耐性,因此即使在用水及醇等進(jìn)行清洗的情況下,透射率、電阻值也不會(huì)大幅改變。
在此,在本發(fā)明的屏蔽層中,將金屬成分的總計(jì)設(shè)為100原子%,還可以在1原子%以上且32原子%以下的范圍內(nèi)包含Zr。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三菱綜合材料株式會(huì)社,未經(jīng)三菱綜合材料株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980019072.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





