[發明專利]用于高性能處理器的高帶寬存儲器封裝

在審

• 申請號: 201980018366.2
• 申請日: 2019-03-28
• 公開（公告）號: CN111837234A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 權云成;金楠勛;特克久·康
• 申請（專利權）人: 谷歌有限責任公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538;H01L25/065;H01L25/00;H01L25/18;H05K1/11;H01L21/48;H01L23/14;H01L23/485
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李佳;鄧聰惠

1.一種集成部件封裝，包括：

凸塊節距松弛層；

高帶寬存儲器部件，所述高帶寬存儲器部件經由第一集合的凸塊接合件連接而在所述凸塊節距松弛層的第一側上直接機械地耦合到所述凸塊節距松弛層；

所述高帶寬存儲器部件經由所述第一集合的凸塊接合件連接而在所述凸塊節距松弛層的所述第一側上直接電耦合到所述凸塊節距松弛層；

所述凸塊節距松弛層經由第二集合的凸塊接合件連接而機械地耦合到基板的第一側；并且

所述高帶寬存儲器部件經由所述凸塊節距松弛層和所述第二集合的凸塊接合件連接而電耦合到所述基板，其中，所述第二集合的凸塊接合件連接中的凸塊接合件連接的凸塊節距大于所述第一集合的凸塊接合件連接中的凸塊接合件連接的凸塊節距。

2.根據權利要求1所述的集成部件封裝，其中，所述第一集合的凸塊接合件連接比所述第二集合的凸塊接合件連接更密集地被封裝。

3.根據權利要求1所述的集成部件封裝，還包括：

重新分布層，所述重新分布層被包括在所述凸塊節距松弛層中；以及

電介質層，所述電介質層被包括在所述重新分布層的頂部上。

4.根據權利要求3所述的集成部件封裝，其中，所述凸塊節距松弛層包括與所述第二集合的凸塊接合件連接對應的電鍍透孔。

5.根據權利要求4所述的集成部件封裝，其中，所述重新分布層包括一個或多個跡線，所述跡線終止于所述電鍍透孔的一端處并且在另一端處暴露于與所述第一集合的凸塊接合件連接對應的開口。

6.根據權利要求1所述的集成部件封裝，還包括：

處理器，所述處理器經由第三集合的凸塊接合件連接而耦合到所述基板；

一個或多個高速輸入/輸出(I/O)跡線，所述高速輸入/輸出(I/O)跡線耦合到所述凸塊節距松弛層和所述第三集合的凸塊接合件連接；并且

所述高帶寬存儲器部件經由所述凸塊節距松弛層而電耦合到所述處理器。

7.根據權利要求6所述的集成部件封裝，其中，所述第三集合的凸塊接合件連接的凸塊節距大于所述第一集合的凸塊接合件連接的凸塊節距。

8.根據權利要求1所述的集成部件封裝，還包括：

去耦封裝上電容器，所述去耦封裝上電容器連接到所述基板的頂部側。

9.根據權利要求1所述的集成部件封裝，其中，所述處理器是專用集成電路。

10.根據權利要求1所述的集成部件封裝，其中，所述基板是有機基板。

11.根據權利要求1所述的集成部件封裝，其中，所述凸塊節距松弛層包括硅。

12.一種組裝集成部件封裝的方法，所述方法包括：

經由第一集合的凸塊接合件連接，將高帶寬存儲器部件直接機械地耦合到凸塊節距松弛層；

經由所述第一集合的凸塊接合件連接，將所述高帶寬存儲器部件直接電耦合到所述凸塊節距松弛層；

將所述凸塊節距松弛層直接機械地耦合到基板的第一側；并且

經由所述凸塊節距松弛層和所述第二集合的凸塊接合件連接，將所述高帶寬存儲器部件電耦合到所述基板，其中，所述第二集合的凸塊接合件連接中的凸塊接合件連接的凸塊節距大于所述第一集合的凸塊接合件連接中的凸塊接合件連接的凸塊節距。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述第一集合的凸塊接合件連接比所述第二集合的凸塊接合件連接更密集地被封裝。

14.根據權利要求12所述的方法，其中，所述凸塊節距松弛層包括重新分布層和在所述重新分布層的頂部上的電介質層。