[發(fā)明專利]三維半導體結構的可視化

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201980016475.0
• 申請日: 2019-03-04
• 公開（公告）號: CN111837226A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發(fā)明（設計）人: A·J·羅森貝格;J·伊洛雷塔;T·G·奇烏拉;A·吉里紐;徐寅;徐凱文;J·亨奇;A·貢德;A·韋爾德曼;列-關·里奇·利;H·舒艾卜
• 申請（專利權）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01B15/04;G01N23/201;H01L29/78;H01L27/108
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 劉麗楠

1.一種半導體結構可視化的方法，其包括：

在半導體計量工具中：

在包括半導體邏輯電路或半導體存儲器電路中的至少一者的半導體晶片上，檢驗所述半導體晶片的包含在至少一個維度上周期性地布置的一個三維3D半導體結構的多個例子的區(qū)域；及

在包括一或多個處理器及存儲通過所述一或多個處理器執(zhí)行的指令的存儲器的計算機系統(tǒng)中：

基于所述檢驗產(chǎn)生所述3D半導體結構的相應例子的模型；

呈現(xiàn)展示所述模型的3D形狀的所述模型的圖像；及

將所述圖像提供到裝置以用于顯示。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述圖像包括將在兩個維度上顯示的所述模型的投影。

3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述圖像包括其中通過輪廓線連接多個橫截面的所述模型的架構視圖，其中所述架構視圖將在兩個維度上顯示。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述圖像包括：

所述3D半導體結構的所述相應例子的頂表面或底表面中的至少一者；及

所述3D半導體結構的所述相應例子的介于所述頂表面與所述底表面之間的用戶可選半透明橫截面。

5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述圖像展示針對所述模型中的所述3D形狀的不確定性。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述圖像指示所述3D形狀或所述3D形狀的橫截面與標稱形狀的偏差。

7.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述圖像包括連續(xù)地展示所述3D形狀的連續(xù)部分的動畫。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中：

呈現(xiàn)所述圖像包括呈現(xiàn)擴增現(xiàn)實或虛擬現(xiàn)實AR/VR圖像；且

提供所述圖像包括將所述AR/VR圖像發(fā)送到AR/VR觀看裝置以用于顯示。

9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述AR/VR圖像是從第一視角呈現(xiàn)的所述模型的第一AR/VR圖像，所述方法進一步包括，在將所述第一AR/VR圖像發(fā)送到所述AR/VR觀看裝置以用于顯示之后：

接收請求視角的改變的用戶輸入；

響應于所述用戶輸入，從第二視角呈現(xiàn)所述模型的第二AR/VR圖像；及

將所述第二AR/VR圖像發(fā)送到所述AR/VR觀看裝置以用于顯示。

10.根據(jù)權利要求8所述的方法，其中所述AR/VR圖像是具有對應于如基于在所述檢驗期間收集的測量確定的所述模型的參數(shù)的值的外觀的所述模型的第一AR/VR圖像，所述方法進一步包括，在將所述第一AR/VR圖像發(fā)送到所述AR/VR觀看裝置以用于顯示之后：

接收請求所述參數(shù)的所述值的改變的用戶輸入；

響應于所述用戶輸入，改變用于所述模型的所述參數(shù)的所述值；

呈現(xiàn)具有對應于所述改變值的外觀的所述模型的第二AR/VR圖像；及

將所述第二AR/VR圖像發(fā)送到所述AR/VR觀看裝置以用于顯示。

11.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中：

所述圖像是3D立體圖像；且

提供所述圖像包括將所述圖像發(fā)送到3D立體觀看器。

12.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中：

所述3D半導體結構的所述多個例子包括3D存儲器中的存儲器孔的周期性布置；且

所述3D半導體結構的所述相應例子包括相應存儲器孔。

13.根據(jù)權利要求12所述的方法，其中所述圖像展示針對所述相應存儲器孔的多個橫截面的所述存儲器孔的橢圓形狀。

14.根據(jù)權利要求13所述的方法，其中所述圖像展示針對所述多個橫截面的所述相應存儲器孔的螺旋度，其中所述螺旋度指示所述橢圓形狀的定向的變化。