[發明專利]半導體用粘接劑及使用了其的半導體裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201980016195.X | 申請日: | 2019-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN111801781A | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發明(設計)人: | 谷口徹彌;佐藤慎;茶花幸一;上野恵子 | 申請(專利權)人: | 日立化成株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;C09J7/35;C09J11/04;C09J11/06;C09J11/08;C09J163/00;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 白麗 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 用粘接劑 使用 裝置 制造 方法 | ||
本發明的半導體用粘接劑為在半導體裝置中用于連接部的至少一部分的密封的半導體用粘接劑,所述半導體裝置是將半導體芯片及布線電路基板的各自的連接部的電極彼此相互電連接而成的半導體裝置、或者是將多個半導體芯片的各自的連接部的電極彼此相互電連接而成的半導體裝置,半導體用粘接劑的觸變值為1.0以上且3.1以下,觸變值是下述的值:對于將半導體用粘接劑層疊至厚度400μm的樣品,利用剪切粘度測定裝置在溫度為120℃的恒定條件下測定使頻率從1Hz連續變化至70Hz時的粘度,將7Hz時的粘度值除以70Hz時的粘度值所獲得的值即為上述觸變值。
技術領域
本公開涉及半導體用粘接劑及使用了該半導體用粘接劑的半導體裝置的制造方法。
背景技術
一直以來,在對半導體芯片與基板進行連接時,使用金引線等金屬細線的引線接合方式被廣泛應用。另一方面,為了應對針對半導體裝置的高功能化、高集成化、高速化等要求,在半導體芯片或基板上形成被稱為凸塊的導電性突起、在半導體芯片與基板之間進行直接連接的倒裝芯片連接方式(FC連接方式)逐漸開展起來。
作為倒裝芯片連接方式,已知以下方法:使用焊料、錫、金、銀、銅等使其金屬接合的方法;施加超聲波振動使其金屬接合的方法;通過樹脂的收縮力保持機械性接觸的方法等,但從連接部的可靠性的觀點出發,通常是使用焊料、錫、金、銀、銅等使其金屬接合的方法。
例如,在半導體芯片與基板之間的連接中,BGA(Ball Grid Array,球柵陣列)、CSP(Chip Size Package,芯片尺寸封裝)等中廣泛使用的COB(Chip On Board,板上芯片)型連接方式也屬于倒裝芯片連接方式。另外,倒裝芯片連接方式也被廣泛用于在半導體芯片上形成連接部(凸塊或布線)、在半導體芯片之間進行連接的COC(Chip On Chip,疊層芯片)型連接方式(例如參照下述專利文獻1)。
對于強烈要求進一步的小型化、薄型化、高功能化的封裝體,將上述連接方式進行層疊、多段化而得到的芯片堆疊封裝、POP(Package On Package,疊層封裝)、TSV(Through-Silicon Via,硅直通孔)等也開始廣泛普及。通過并非以平面狀而是以立體狀進行配置,從而可以減小封裝體,因此這些技術被廣泛使用,對于提高半導體的性能、降低噪音、削減安裝面積、省電也是有效的,作為下一代的半導體布線技術受到注目。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2016-102165號公報
發明內容
發明要解決的技術問題
在高功能化、高集成化、低成本化有所發展的倒裝芯片封裝體中,為了高生產率,要求抑制芯片搭載時的樹脂滲出寬度、高密度地搭載芯片。如果為此而減輕壓接的負荷,則雖然可抑制樹脂滲出寬度,但芯片的角落部分會變得樹脂不足、有導致芯片剝離等的顧慮。
本公開的主要目的在于提供一種半導體用粘接劑及使用了該半導體用粘接劑的半導體裝置的制造方法,所述半導體用粘接劑通過在芯片安裝時控制滲出樹脂形狀、樹脂以沿著芯片側面的形狀滲出而能夠獲得在安裝時沒有樹脂不足的半導體裝置。
用于解決技術問題的手段
本公開的一個方面為[1]一種半導體用粘接劑,其為在半導體裝置中用于連接部的至少一部分的密封的半導體用粘接劑,所述半導體裝置是將半導體芯片及布線電路基板的各自的連接部的電極彼此相互電連接而成的半導體裝置、或者是將多個半導體芯片的各自的連接部的電極彼此相互電連接而成的半導體裝置,上述半導體用粘接劑的觸變值為1.0以上且3.1以下,上述觸變值是下述的值:對于將上述半導體用粘接劑層疊至厚度400μm的樣品,利用剪切粘度測定裝置在溫度為120℃的恒定條件下測定使頻率從1Hz連續變化至70Hz時的粘度,將7Hz時的粘度值除以70Hz時的粘度值所獲得的值即為上述觸變值。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于日立化成株式會社,未經日立化成株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980016195.X/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:攝像裝置和電子設備
- 下一篇:基于失效風險的生產控制方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





