[發明專利]半導體用粘接劑及使用了其的半導體裝置的制造方法在審
| 申請號: | 201980016195.X | 申請日: | 2019-01-17 |
| 公開(公告)號: | CN111801781A | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發明(設計)人: | 谷口徹彌;佐藤慎;茶花幸一;上野恵子 | 申請(專利權)人: | 日立化成株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;C09J7/35;C09J11/04;C09J11/06;C09J11/08;C09J163/00;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 白麗 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 用粘接劑 使用 裝置 制造 方法 | ||
1.一種半導體用粘接劑,其為在半導體裝置中用于連接部的至少一部分的密封的半導體用粘接劑,所述半導體裝置是將半導體芯片及布線電路基板的各自的連接部的電極彼此相互電連接而成的半導體裝置、或者是將多個半導體芯片的各自的連接部的電極彼此相互電連接而成的半導體裝置,
所述半導體用粘接劑的觸變值為1.0以上且3.1以下,
所述觸變值是下述的值:對于將所述半導體用粘接劑層疊至厚度400μm的樣品,利用剪切粘度測定裝置在溫度為120℃的恒定條件下測定使頻率從1Hz連續變化至70Hz時的粘度,將7Hz時的粘度值除以70Hz時的粘度值所獲得的值即為所述觸變值。
2.根據權利要求1所述的半導體用粘接劑,其含有(a)環氧樹脂、(b)固化劑及(c)重均分子量為10000以上的高分子量成分。
3.根據權利要求2所述的半導體用粘接劑,其進一步含有(d)填充物。
4.根據權利要求2或3所述的半導體用粘接劑,其進一步含有(e)助熔劑。
5.根據權利要求2~4中任一項所述的半導體用粘接劑,其中,所述(c)重均分子量為10000以上的高分子量成分的多分散度Mw/Mn為3以下。
6.根據權利要求2~5中任一項所述的半導體用粘接劑,其中,所述半導體用粘接劑中含有的材料的一部分或者全部是可溶于環己酮的。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的半導體用粘接劑,其為膜狀。
8.一種半導體裝置的制造方法,其具備以下工序:
使用權利要求1~7中任一項所述的半導體用粘接劑,利用連接裝置、隔著所述半導體用粘接劑進行半導體芯片及布線電路基板的位置對齊,在進行相互連接的同時將半導體芯片及布線電路基板的各自的連接部的電極彼此相互電連接,利用所述半導體用粘接劑將所述連接部的至少一部分密封的工序;或者
利用連接裝置、隔著所述半導體用粘接劑進行多個半導體芯片的位置對齊,在進行相互連接的同時將多個半導體芯片的各自的連接部的電極彼此相互電連接,利用所述半導體用粘接劑將所述連接部的至少一部分密封的工序。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





