[發(fā)明專利]攝像裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980015801.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-02-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111788688A | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大木進(jìn) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 索尼半導(dǎo)體解決方案公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290 | 代理人: | 喬焱;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 攝像 裝置 | ||
1.一種攝像裝置,其包括:
像素區(qū)域和位于所述像素區(qū)域外部的外圍區(qū)域;
受光元件,其被設(shè)置在所述像素區(qū)域中;
電路板,其被設(shè)置在所述像素區(qū)域和所述外圍區(qū)域中,所述電路板包括半導(dǎo)體基板和多層配線層,所述多層配線層被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板和所述受光元件之間;
第一配線,其被設(shè)置在所述多層配線層中,并且所述第一配線被電連接到所述受光元件;
保護(hù)構(gòu)件,其與所述電路板相對(duì),所述保護(hù)構(gòu)件和所述電路板將所述受光元件夾在中間;以及
擴(kuò)展配線部,其在所述外圍區(qū)域中被設(shè)置在所述半導(dǎo)體基板和所述保護(hù)構(gòu)件之間,
所述擴(kuò)展配線部的一端是開放的,并且所述擴(kuò)展配線部的另一端被電連接到所述第一配線。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,其還包括位于所述電路板的所述外圍區(qū)域中的輸入輸出部,其中
所述擴(kuò)展配線部被設(shè)置在所述輸入輸出部附近。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的攝像裝置,其中
所述輸入輸出部包括貫通電極,并且
所述擴(kuò)展配線部被電連接到所述貫通電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的攝像裝置,其中
所述攝像裝置設(shè)置有多個(gè)所述擴(kuò)展配線部和多個(gè)所述貫通電極,并且
彼此相鄰的所述擴(kuò)展配線部之間的距離比彼此相鄰的所述貫通電極之間的距離短。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的攝像裝置,其中
所述攝像裝置設(shè)置有多個(gè)所述擴(kuò)展配線部和多個(gè)所述貫通電極,并且
彼此相鄰的所述擴(kuò)展配線部之間的距離與彼此相鄰的所述貫通電極之間的距離大致相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,其中,所述擴(kuò)展配線部的所述一端被設(shè)置在所述電路板的邊緣附近。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,其還包括設(shè)置在所述外圍區(qū)域中的保護(hù)環(huán),其中
相比于所述保護(hù)環(huán),所述擴(kuò)展配線部的所述一端被設(shè)置在更靠近所述像素區(qū)域的位置處。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,其中
所述多層配線層包括與所述受光元件電連接的第二配線,并且
所述擴(kuò)展配線部的至少一部分包括被設(shè)置在與設(shè)置有所述第二配線的層相同的層中的配線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置,其還包括被設(shè)置在所述受光元件和所述多層配線層之間的接合面處的接合部,其中
所述接合部包括Cu-Cu接合。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的攝像裝置,其中,所述擴(kuò)展配線部包括所述接合部。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





