[發(fā)明專利]形成金屬硫系化物柱體的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980014978.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-03-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111758155A | 公開(公告)日: | 2020-10-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 阿米里塔·B·穆利克;斯里尼瓦·甘迪科塔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/768 | 分類號(hào): | H01L21/768;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó);趙靜 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 形成 金屬 硫系化物 柱體 方法 | ||
茲描述產(chǎn)生自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的方法,所述自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)包含金屬硫系化物。某些方法包含以下步驟:于基板特征中形成含金屬膜,并將含金屬膜暴露于硫系前驅(qū)物,以形成包含金屬硫系化物的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。某些方法包含以下步驟:于基板特征中形成含金屬膜;使含金屬膜膨脹,以形成柱體;和將柱體暴露于硫系前驅(qū)物,以形成包含金屬硫系化物的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。某些方法包含以下步驟:在基板特征中直接形成金屬硫系化物柱體,以形成包含金屬硫系化物的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。亦描述形成自對(duì)準(zhǔn)通孔的方法。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開內(nèi)容的實(shí)施方式一般地涉及形成從基板特征延伸的金屬硫系化物柱體的方法。附加的實(shí)施方式涉及產(chǎn)生自對(duì)準(zhǔn)通孔(self-aligned via)的方法。
背景技術(shù)
可通過(guò)間隙填充金屬膜的氧化來(lái)形成自對(duì)準(zhǔn)金屬氧化物柱體。將金屬沉積在孔或溝槽的結(jié)構(gòu)上,接著將其氧化而形成金屬氧化物。在氧化期間的體積膨脹將柱體推出孔或溝槽。柱體僅從金屬選擇性地由底部向上生長(zhǎng)。
已使用氧化鎢來(lái)形成自對(duì)準(zhǔn)柱體,因?yàn)槠渚哂懈叩臒崤蛎浶约案叩臈钍夏?shù)或剛性。可經(jīng)由在高溫下使用氧來(lái)氧化鎢金屬而形成氧化鎢。
然而,使用此工藝存在一些挑戰(zhàn),因?yàn)榻饘俚捏w積膨脹的速率和量形成金屬氧化物柱體。首先,壓力的快速變化有時(shí)候會(huì)導(dǎo)致固有結(jié)構(gòu)的退化。這可能導(dǎo)致柱體的彎折或傾斜。其次,體積的快速改變有時(shí)候會(huì)導(dǎo)致不均勻的生長(zhǎng)。第三,殘留的未氧化金屬通常殘留在溝槽的底部。
本案所屬技術(shù)領(lǐng)域需要產(chǎn)生自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的替代方法。更具體地,本案所屬技術(shù)領(lǐng)域需要產(chǎn)生自對(duì)準(zhǔn)柱體和結(jié)構(gòu)的替代方法以提供更具剛性、更強(qiáng)壯的柱體。
發(fā)明內(nèi)容
本公開內(nèi)容的一或多個(gè)實(shí)施方式涉及基板處理方法,包含以下步驟:提供基板,該基板具有基板表面,且具有至少一個(gè)特征形成于該基板中。至少一個(gè)特征從基板表面延伸進(jìn)入基板達(dá)一距離,且至少一個(gè)特征具有側(cè)壁和底部。于至少一個(gè)特征中形成金屬膜。將金屬膜暴露于硫系前驅(qū)物,以形成金屬硫系化物柱體,金屬硫系化物柱體從這至少一個(gè)特征延伸。硫系前驅(qū)物實(shí)質(zhì)上不包含氧。
本公開內(nèi)容的額外實(shí)施方式涉及基板處理方法,包含以下步驟:提供基板,該基板具有基板表面,且具有至少一個(gè)特征形成于該基板中。至少一個(gè)特征從基板表面延伸進(jìn)入基板達(dá)一距離,且至少一個(gè)特征具有側(cè)壁和底部。于至少一個(gè)特征中形成金屬膜。使金屬膜膨脹而形成從至少一個(gè)特征延伸的柱體。柱體實(shí)質(zhì)上不包含氧。將柱體暴露于硫系前驅(qū)物以形成從至少一個(gè)特征延伸的金屬硫系化物柱體。硫系前驅(qū)物實(shí)質(zhì)上不包含氧。
本公開內(nèi)容的進(jìn)一步實(shí)施方式涉及基板處理方法,包含以下步驟:提供基板,該基板具有基板表面,且具有至少一個(gè)特征形成于該基板中。至少一個(gè)特征從基板表面延伸進(jìn)入基板達(dá)一距離,且至少一個(gè)特征具有側(cè)壁和底部。將基板暴露于金屬硫系化物前驅(qū)物以形成從至少一個(gè)特征延伸的金屬硫系化物柱體。金屬硫系化物前驅(qū)物實(shí)質(zhì)上不包含氧。
附圖說(shuō)明
在此簡(jiǎn)要概述的本公開內(nèi)容的上述特征能夠被詳細(xì)理解的方式、以及本公開內(nèi)容的更詳細(xì)描述,可通過(guò)參照實(shí)施方式獲得其中一些實(shí)施方式繪示于附圖中。然而,應(yīng)注意的是,附圖僅繪示本公開內(nèi)容的典型實(shí)施方式,因而不應(yīng)將這些附圖視為對(duì)本公開內(nèi)容的范圍的限制,因?yàn)楸竟_內(nèi)容可允許其它等同有效實(shí)施方式。
圖1示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一或多個(gè)實(shí)施方式的基板特征的截面圖;和
圖2示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一或多個(gè)實(shí)施方式的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)形成工藝的截面示意圖;
圖3示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一或多個(gè)實(shí)施方式的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)形成工藝的截面示意圖;和
圖4示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一或多個(gè)實(shí)施方式的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)形成工藝的截面示意圖。
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





