[發(fā)明專利]形成金屬硫系化物柱體的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201980014978.4
• 申請日: 2019-03-06
• 公開（公告）號: CN111758155A
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發(fā)明（設計）人: 阿米里塔·B·穆利克;斯里尼瓦·甘迪科塔
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/02
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種基板處理方法，包含以下步驟：

提供基板，所述基板具有基板表面，且具有至少一個特征形成于所述基板中，所述至少一個特征從所述基板表面延伸進入所述基板達一距離，且所述至少一個特征具有側(cè)壁和底部；

于所述至少一個特征中形成金屬膜；和

將所述金屬膜暴露于硫系前驅(qū)物，以形成金屬硫系化物柱體，所述金屬硫系化物柱體從所述至少一個特征延伸，所述硫系前驅(qū)物實質(zhì)上不包含氧。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述金屬包含以下一或多種：鎢及鉬。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述硫系前驅(qū)物包含以下一或多種：H₂S、烷基硫、烷基二硫、S₈粉末及Se粉末。

4.如權利要求1所述的方法，其中所述金屬硫系化物柱體包含以下一或多種：硫、硒或碲。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述金屬硫系化物柱體正交于所述基板表面。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述金屬硫系化物柱體對所述金屬膜的體積比為大于或等于約2。

7.一種用于產(chǎn)生自對準通孔的方法，所述方法包含以下步驟：

根據(jù)權利要求1形成金屬硫系化物柱體；

于所述基板表面上沉積介電材料，所述介電材料圍繞所述金屬硫系化物柱體；和

移除所述金屬硫系化物柱體，而留下穿過所述介電材料的通孔。

8.一種基板處理方法，包含以下步驟：

提供基板，所述基板具有基板表面，且具有至少一個特征形成于所述基板中，所述至少一個特征從所述基板表面延伸進入所述基板達一距離，且所述至少一個特征具有側(cè)壁和底部；

于所述至少一個特征中形成金屬膜；

使所述金屬膜膨脹，以形成柱體，所述柱體從所述至少一個特征延伸，所述柱體實質(zhì)上不包含氧；和

將所述柱體暴露于硫系前驅(qū)物，以形成金屬硫系化物柱體，所述金屬硫系化物柱體從所述至少一個特征延伸，所述硫系前驅(qū)物實質(zhì)上不包含氧。

9.如權利要求8所述的方法，其中所述金屬包含以下一或多種：鎢及鉬。

10.如權利要求8所述的方法，其中所述柱體包含以下一或多種：氮、碳或硅。

11.如權利要求8所述的方法，其中所述硫系前驅(qū)物包含以下一或多種：H₂S、二烷基二硫(dialkyl disulfide)、S₈粉末及Se粉末。

12.如權利要求8所述的方法，其中所述金屬硫系化物柱體包含以下一或多種：硫、硒或碲。

13.如權利要求8所述的方法，其中所述金屬硫系化物柱體正交于所述基板表面。

14.一種用于產(chǎn)生自對準通孔的方法，所述方法包含以下步驟：

根據(jù)權利要求8形成金屬硫系化物柱體；

于所述基板表面上沉積介電材料，所述介電材料圍繞所述金屬硫系化物柱體；和

移除所述金屬硫系化物柱體，而留下穿過所述介電材料的通孔。

15.一種基板處理方法，包含以下步驟：

提供基板，所述基板具有基板表面，且具有至少一個特征形成于所述基板中，所述至少一個特征從所述基板表面延伸進入所述基板達一距離，且所述至少一個特征具有側(cè)壁和底部；和

將所述基板暴露于金屬硫系化物前驅(qū)物，以形成金屬硫系化物柱體，所述金屬硫系化物柱體從所述至少一個特征延伸，所述金屬硫系化物前驅(qū)物實質(zhì)上不包含氧。

16.如權利要求15所述的方法，其中所述金屬硫系化物柱體包含以下一或多種：鎢及鉬。