[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置和電子設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980014245.0
• 申請日: 2019-02-08
• 公開（公告）號(hào): CN111742367A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤正啟
• 申請（專利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類號(hào): G11C11/16
• 分類號(hào): G11C11/16
• 代理公司: 中國貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 張小穩(wěn)

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括：

多個(gè)存儲(chǔ)元件，所述多個(gè)存儲(chǔ)元件中的每個(gè)存儲(chǔ)元件依據(jù)施加電壓轉(zhuǎn)變到多個(gè)狀態(tài)中的任何一個(gè)；

控制部，將包括在所述多個(gè)存儲(chǔ)元件中的至少兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件分配給一位，并且針對(duì)每位控制向與該位相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件中的每個(gè)存儲(chǔ)元件的電壓的施加；和

判定部，在被分配給該位的兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件中的一部分的存儲(chǔ)元件的狀態(tài)與其它存儲(chǔ)元件的狀態(tài)不同的情況下，判定該位是正常的，并且在兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件的各自狀態(tài)相同的情況下，判定該位是異常的。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述控制部向判定為異常的位分配與分配給該位的兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件不同的其它兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述控制部通過將所述兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件中的每個(gè)存儲(chǔ)元件的硬件地址與為每位設(shè)定的軟件地址相關(guān)聯(lián)，來將所述兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件分配給所述位。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中，所述控制部執(zhí)行控制，以使得向所述位寫入數(shù)據(jù)時(shí)，與所述位相對(duì)應(yīng)的所述兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件中的一部分的存儲(chǔ)元件的狀態(tài)是與其它存儲(chǔ)元件不同的狀態(tài)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述存儲(chǔ)元件是依據(jù)施加電壓的方向而轉(zhuǎn)變到彼此不同的狀態(tài)的存儲(chǔ)元件，并且

所述控制部執(zhí)行控制，以使得當(dāng)向所述位寫入數(shù)據(jù)時(shí)，電壓以彼此不同的方向施加到與所述位相對(duì)應(yīng)的所述兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件中的至少兩個(gè)存儲(chǔ)元件中的每個(gè)存儲(chǔ)元件。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述控制部

執(zhí)行控制，以使得當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入所述位時(shí)，與所述位相對(duì)應(yīng)的所述兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件中的所述至少兩個(gè)存儲(chǔ)元件并聯(lián)連接，以及

執(zhí)行控制，以使得當(dāng)從所述位讀取數(shù)據(jù)時(shí)，與所述位相對(duì)應(yīng)的所述兩個(gè)或更多個(gè)存儲(chǔ)元件中的所述至少兩個(gè)存儲(chǔ)元件串聯(lián)連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述控制部

將包括在所述多個(gè)存儲(chǔ)元件中的兩個(gè)存儲(chǔ)元件分配給所述位，

執(zhí)行控制，以使得當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入所述位時(shí)，與所述位相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)存儲(chǔ)元件并聯(lián)連接，以及

執(zhí)行控制，以使得當(dāng)從所述位讀取數(shù)據(jù)時(shí)，與所述位相對(duì)應(yīng)的兩個(gè)存儲(chǔ)元件串聯(lián)連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其中

所述存儲(chǔ)元件是在施加高于閾值的電壓的情況下其狀態(tài)轉(zhuǎn)變的存儲(chǔ)元件，

所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置還包括：

第一信號(hào)線，共同連接到所述兩個(gè)存儲(chǔ)元件；和

兩個(gè)第二信號(hào)線，每個(gè)第二信號(hào)線單獨(dú)地連接到所述兩個(gè)存儲(chǔ)元件中的對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)元件，

所述控制部

控制所述第一信號(hào)線與所述兩個(gè)第二信號(hào)線中的每個(gè)第二信號(hào)線之間的電位差，以使得當(dāng)將數(shù)據(jù)寫入所述位時(shí)，將高于所述閾值的第一電壓施加到所述兩個(gè)存儲(chǔ)元件中的每個(gè)存儲(chǔ)元件，以及

控制所述兩個(gè)第二信號(hào)線之間的電位差，以使得當(dāng)從所述位讀取數(shù)據(jù)時(shí)，將低于所述閾值的第二電壓施加到所述兩個(gè)存儲(chǔ)元件中的每個(gè)存儲(chǔ)元件，以及

當(dāng)從所述位讀取數(shù)據(jù)時(shí)，讀取與所述第一信號(hào)線的電位相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，還包括

兩個(gè)選擇晶體管，每個(gè)選擇晶體管單獨(dú)地連接到所述兩個(gè)存儲(chǔ)元件中的對(duì)應(yīng)一個(gè)存儲(chǔ)元件，其中

所述選擇晶體管選擇性地切換是否存在所述第一信號(hào)線與所述兩個(gè)第二信號(hào)線中的每個(gè)第二信號(hào)線之間的經(jīng)由所連接的存儲(chǔ)元件的電連接。