[發明專利]半導體存儲裝置和電子設備

在審

• 申請號: 201980014245.0
• 申請日: 2019-02-08
• 公開（公告）號: CN111742367A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發明（設計）人: 佐藤正啟
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 張小穩

[問題]為了能夠以優選的方式檢測到保持在存儲元件中的信息由于外部因素的影響的重寫。[解決方案]一種半導體存儲裝置，設有：多個存儲元件，每個存儲元件依據施加到其的電壓轉變到多個狀態中的一個；控制部，用于在將包括在多個存儲元件中的至少兩個存儲元件分配給一位時，控制向與每位相對應的兩個或更多個存儲元件中的每一個的電壓的施加；以及判定部，用于在分配給該位的兩個或更多個存儲元件中的一些存儲元件的狀態與其它存儲元件的狀態不同的情況下判定該位是正常的，并且在兩個或更多個存儲元件的各自狀態相同的情況下判定該位是異常的。

技術領域

本公開涉及半導體存儲裝置和電子設備。

背景技術

作為可重寫的非易失性存儲器，例如，已知采用磁阻效應元件作為存儲元件的磁阻存儲器(磁性隨機存取存儲器：MRAM)。在MRAM中，依據構成磁阻效應元件的磁性物質的磁化方向來存儲數據。

磁性隧道結(磁性隧道結：MTJ)元件是構成MRAM的磁阻效應元件的示例。MTJ元件通過在兩個強磁性層之間插入隧道絕緣膜來層疊這兩個強磁性層而構造，并且使用如下特性：經由隧道絕緣膜在磁性層之間流動的隧道電流依據兩個強磁性層的磁化方向的關系而改變(換句話說，磁性隧道結的電阻改變的特性)。具體地，在兩個強磁性層的磁化方向平行的情況下，MTJ元件具有低的元件電阻，并且在兩個強磁性層的磁化方向反平行的情況下，MTJ元件具有高的元件電阻。通過將彼此不同的這兩種狀態中的每一個與數據“0”或“1”相關聯，可以將MTJ元件用作存儲元件。例如，專利文獻1公開了可以將MTJ元件用作存儲元件的存儲裝置(存儲器電路)的示例。

引文列表

專利文獻

專利文獻1：日本專利申請特開No.2013-171593

發明內容

本發明要解決的問題

同時，可以假設，在諸如MRAM之類的存儲裝置中，保持在存儲元件中的信息由于諸如來自外部的強磁場之類的外部因素的影響而被無意或非法地重寫。特別地，使用諸如MRAM之類的存儲裝置的一些電子設備需要更高的安全水平，這些電子設備諸如是用于認證等的設備。在這樣的設備中，即使在信息已被非法地重寫的情況下，也需要引入能夠檢測到保持在存儲裝置中的信息的重寫的技術。

因此，本公開提出了一種能夠以更優選的方式檢測到保持在存儲元件中的信息由于外部因素的影響的重寫的技術。

問題的解決方案

根據本公開，提供了一種半導體存儲裝置，包括：多個存儲元件，所述多個存儲元件中的每個存儲元件依據施加電壓而轉變到多個狀態中的任何一個；控制部，將包括在所述多個存儲元件中的至少兩個或更多個存儲元件分配給一位，并且針對每位控制向與該位對應的兩個或更多個存儲元件中的每個存儲元件的電壓的施加；和判定部，在被分配給該位的兩個或更多個存儲元件中的一部分的存儲元件的狀態與其它存儲元件的狀態不同的情況下，判定該位是正常的，并且在兩個或更多個存儲元件的各自狀態相同的情況下，判定該位是異常的。

此外，根據本公開，提供了一種包括半導體存儲裝置的電子設備，其中所述半導體存儲裝置包括：多個存儲元件，所述多個存儲元件中的每個存儲元件依據施加電壓而轉變到多個狀態中的任何一個；控制部，將包括在所述多個存儲元件中的至少兩個或更多個存儲元件分配給一位，并且針對每位控制向與該位對應的所述兩個或更多個存儲元件中的每個存儲元件的電壓的施加；和判定部，在被分配給所述位的所述兩個或更多個存儲元件中的一部分的存儲元件的狀態與其它存儲元件的狀態不同的情況下，判定所述位是正常的，并且在所述兩個或更多個存儲元件的各自狀態相同的情況下，判定所述位是異常的。

發明的效果

如上所述，根據本公開，提供了一種能夠以更優選的方式檢測到保持在存儲元件中的信息由于外部因素的影響的重寫的技術。