[發明專利]用于雙面處理的圖案化真空吸盤在審
| 申請號: | 201980014108.7 | 申請日: | 2019-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN111742402A | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發明(設計)人: | 約瑟夫·尤多夫斯基;維斯韋斯瓦倫·西瓦拉瑪克里施南;盧多維克·戈代;羅格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 雙面 處理 圖案 真空 吸盤 | ||
此處所述的實施方式涉及具有多個孔穴形成于其中的基板吸盤設備。在吸盤設備的主體中形成所述孔穴。在一個實施方式中,在主體的吸盤表面中形成第一多個通口且延伸至主體的底部表面。在另一實施方式中,在多個孔穴的底部表面中形成第二多個通口且延伸穿過主體至主體的底部表面。
技術領域
本公開內容的實施方式一般涉及基板吸盤。更特定地,此處所述的實施方式涉及圖案化真空吸盤。
背景技術
在半導體及顯示器工業中經常使用基板吸盤設備以在傳送或處理基板期間支撐基板。新興技術導致針對基板上裝置及結構制造的多種先進處理技術的發展。例如,針對虛擬現實及增強現實應用的波導設備的制造推動了傳統基板處理技術的界限。
波導設備并入在玻璃或類玻璃基板上形成的微結構。通常,在基板的前側面及基板的后側面上形成微結構。然而,在處理期間掌控及支撐具有在基板前后上形成的微結構的基板是有挑戰性的。例如,傳統吸盤設備可在處理前側面時損壞基板后側面上形成的微結構,反之亦然。
因此,技術領域中所需要的是改良的吸盤設備。
發明內容
此處所述的實施方式涉及基板吸盤設備及吸住基板的方法。在一個實施方式中,基板吸盤設備包含:主體,該主體具有吸盤表面及相對于該吸盤表面的底部表面。該主體包含在該主體中形成的自該吸盤表面凹陷的多個孔穴,其中成對的該多個孔穴與多個第一導管流體連通。該設備也包含多個第二導管,在該主體中形成該多個第二導管,在該多個孔穴的一部分之間形成該多個第二導管的一個,其中個別地控制成對的所述孔穴中的壓力。
在另一實施方式中,基板吸盤設備包含:圓形主體,該圓形主體具有吸盤表面;多個孔穴,該多個孔穴形成在該吸盤表面中;多個第一導管,該多個第一導管的每一個耦接至在該吸盤表面中形成的表面通口;第二導管,該第二導管耦接至該多個孔穴的第一對;第三導管,該第三導管耦接至該多個孔穴的第二對;和第四導管,該第四導管耦接至該多個孔穴的第三對,其中個別地控制所述孔穴的所述對的每一者中的壓力。
在另一實施方式中,描述用于處理基板的方法,該方法包含以下步驟:在該基板的第一主要表面上形成多個結構;將該第一主要表面放置于吸盤上,其中該多個結構的每一個放置于在該吸盤的吸盤表面中形成的相應孔穴中;及經由多個表面通口應用第一壓力至該主要表面,同時在成對的所述孔穴中應用第二壓力,該第一壓力與該第二壓力不同。
附圖說明
為了能夠詳細理解本公開內容上述特征中的方式,可通過參考實施方式而進行本公開內容的更特定描述(簡短總結如上),其中一些圖示于所附附圖中。然而,注意所附附圖僅圖示示范性實施方式,并且因此不考慮限制其范圍,可允許其他等效實施方式。
圖1A根據此處所述的實施方式圖示具有小晶片(dies)的基板的平面視圖,在所述小晶片上形成微結構。
圖1B根據此處所述的實施方式圖示圖1A沿著線1B-1B截取的基板的橫截面視圖。
圖2A根據此處所述的實施方式圖示真空吸盤設備的橫截面視圖。
圖2B為圖2A的真空吸盤設備的平面視圖。
圖3A為圖案化樣板至基板上的傳送處理的一部分的示意截面視圖。
圖3B及圖3C為其上具有基板的真空吸盤設備的部分的截面視圖。
圖4A根據此處所述的實施方式圖示圖2的真空吸盤設備的平面視圖。
圖4B圖示圖4A的真空吸盤設備的橫截面視圖。
圖5A根據此處所述的實施方式圖示圖2的真空吸盤設備的平面視圖。
圖5B為沿著圖5A的線5B-5B的真空吸盤設備的示意截面視圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





