[發(fā)明專利]用于雙面處理的圖案化真空吸盤在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980014108.7 | 申請日: | 2019-01-29 |
| 公開(公告)號: | CN111742402A | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 約瑟夫·尤多夫斯基;維斯韋斯瓦倫·西瓦拉瑪克里施南;盧多維克·戈代;羅格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森 | 申請(專利權(quán))人: | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;趙靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 雙面 處理 圖案 真空 吸盤 | ||
1.一種基板吸盤設(shè)備,包括:
主體,所述主體具有吸盤表面和相對于所述吸盤表面的底部表面,所述主體具有在所述主體中形成的自所述吸盤表面凹陷的多個孔穴,其中成對的所述多個孔穴與多個第一導(dǎo)管流體連通;和
多個第二導(dǎo)管,所述多個第二導(dǎo)管形成在所述主體中,所述多個第二導(dǎo)管的一個第二導(dǎo)管在所述多個孔穴的一部分之間形成,其中個別地控制成對的所述孔穴中的壓力。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述主體為金屬材料。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述多個孔穴的每一個包含自所述孔穴的底部延伸的支撐構(gòu)件。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述多個第一導(dǎo)管包括第一對導(dǎo)管和第二對導(dǎo)管。
5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中所述第一對導(dǎo)管與所述多個孔穴的第一對孔穴流體連通,且所述第二對導(dǎo)管與所述多個孔穴的第二對孔穴流體連通。
6.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備,其中所述第一對導(dǎo)管與第一真空源流體連通,且所述第二對導(dǎo)管與第二真空源流體連通。
7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中所述第一真空源與所述第二真空源不同。
8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述多個第二導(dǎo)管的每一個耦接至在所述吸盤表面中形成的開口。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備,其中每一開口形成在所述吸盤表面中形成的溝槽圖案中。
10.一種基板吸盤設(shè)備,包括:
圓形主體,所述圓形主體具有吸盤表面;
多個孔穴,所述多個孔穴形成在所述吸盤表面中;
多個第一導(dǎo)管,所述多個第一導(dǎo)管的每一個耦接至在所述吸盤表面中形成的表面通口;
第二導(dǎo)管,所述第二導(dǎo)管耦接至所述多個孔穴的第一對;
第三導(dǎo)管,所述第三導(dǎo)管耦接至所述多個孔穴的第二對;和
第四導(dǎo)管,所述第四導(dǎo)管耦接至所述多個孔穴的第三對,其中個別地控制所述孔穴的所述對的每一者中的壓力。
11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其中所述吸盤表面包括溝槽圖案。
12.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其中所述表面通口與所述溝槽圖案流體連通。
13.如權(quán)利要求11所述的設(shè)備,其中所述溝槽圖案環(huán)繞所述多個孔穴的一部分。
14.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其中所述多個孔穴的每一個包含自所述孔穴的底部延伸的支撐構(gòu)件。
15.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備,其中所述圓形主體為金屬材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





