[發(fā)明專利]包括氣鎖的設(shè)備在審
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980013260.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-01-18 |
公開(公告)號(hào): | CN111712766A | 公開(公告)日: | 2020-09-25 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | G·納吉布奧格魯;D·V·P·漢斯喬特;R·Y·范德莫西迪克 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | ASML荷蘭有限公司 |
主分類號(hào): | G03F7/20 | 分類號(hào): | G03F7/20 |
代理公司: | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人: | 閆紅 |
地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 包括 設(shè)備 | ||
一種設(shè)備可以構(gòu)成光刻設(shè)備的部分,所述設(shè)備包括襯底臺(tái)、投影系統(tǒng)、氣鎖和氣流引導(dǎo)件。襯底臺(tái)適用于支撐襯底。投影系統(tǒng)具有主體,所述主體限定內(nèi)部和開口。投影系統(tǒng)配置并布置成將輻射束通過開口投影到由襯底臺(tái)支撐的襯底上。氣鎖適用于提供來自所述開口遠(yuǎn)離所述內(nèi)部的氣流。氣流引導(dǎo)件配置成引導(dǎo)所述氣流的至少一部分遠(yuǎn)離由所述襯底臺(tái)支撐的襯底。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求于2018年2月16日提交的歐洲申請(qǐng)18157048.2的優(yōu)先權(quán),該歐洲申請(qǐng)通過引用全文并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種包括氣鎖的設(shè)備。具體地,所述設(shè)備可以構(gòu)成光刻設(shè)備的一部分,所述光刻設(shè)備包括用于支撐襯底(例如硅晶片)的襯底臺(tái)和布置成將圖案化的輻射束投影到襯底上的投影系統(tǒng)。所述氣鎖可以被布置成至少部分保護(hù)投影系統(tǒng)的內(nèi)部以避免污染物進(jìn)入。
背景技術(shù)
光刻設(shè)備是一種構(gòu)造為將所期望的圖案施加到襯底上的機(jī)器。光刻設(shè)備能夠例如用于集成電路(IC)的制造中。光刻設(shè)備可例如將來自圖案形成裝置(例如,掩模)的圖案投影到設(shè)置在襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
為了將圖案投影到襯底上,光刻設(shè)備可以使用電磁輻射。這種輻射的波長決定了能夠形成在襯底上的特征的最小尺寸。使用極紫外(EUV)輻射(其波長在4-20nm范圍內(nèi),例如6.7nm或13.5nm)的光刻設(shè)備可用于在襯底上形成比使用例如波長為193nm的輻射的光刻設(shè)備更小的特征。
因?yàn)樵谑褂肊UV輻射的光刻設(shè)備內(nèi),EUV輻射強(qiáng)烈地被物質(zhì)吸收,所以EUV輻射的光學(xué)路徑在真空條件下(即,處于明顯低于大氣壓力的壓力)。特別地,投影系統(tǒng)包括用于將EUV輻射投影到襯底上的光學(xué)元件的系統(tǒng),投影系統(tǒng)可以被保持在真空條件下。EUV輻射通過由投影系統(tǒng)限定的開口投影到襯底上。期望限制污染物進(jìn)入到投影系統(tǒng)中。已知為此目的提供動(dòng)態(tài)氣鎖。
可以期望提供氣鎖的替代布置和包括這種氣鎖的設(shè)備,其至少部分解決了與已知的布置相關(guān)聯(lián)的一個(gè)或更多個(gè)問題(不管在本文中識(shí)別出還是以其它方式識(shí)別出)。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面,提供了一種設(shè)備,包括:襯底臺(tái),用于支撐襯底;投影系統(tǒng),具有主體,所述主體限定內(nèi)部和開口,所述投影系統(tǒng)配置并布置成將輻射束通過所述開口投影到由所述襯底臺(tái)支撐的襯底;氣鎖,用于提供來自所述開口遠(yuǎn)離所述內(nèi)部的氣流;和氣流引導(dǎo)件,配置成引導(dǎo)所述氣流的至少一部分遠(yuǎn)離由所述襯底臺(tái)支撐的襯底。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面的設(shè)備可以構(gòu)成光刻設(shè)備的部分。例如,在使用中,襯底臺(tái)可以支撐硅晶片,投影系統(tǒng)可以布置成將圖案化的輻射束投影到晶片上(例如以形成掩模版的衍射受限的圖像)。在使用中,多個(gè)不同的目標(biāo)區(qū)(其可以對(duì)應(yīng)于一個(gè)或更多個(gè)管芯)可以在曝光之間通過相對(duì)于該投影系統(tǒng)移動(dòng)該襯底臺(tái)而被依序曝光。另外,每個(gè)這種曝光均可以是掃描曝光,在掃描曝光期間襯底臺(tái)相對(duì)于開口在掃描方向上移動(dòng)。
根據(jù)本發(fā)明的第一方面的設(shè)備是有利的,因?yàn)槠涮峁┠軌虮Wo(hù)該投影系統(tǒng)的內(nèi)部以免污染物進(jìn)入的氣鎖。例如,其能夠防止這種污染物撞擊光學(xué)元件(例如,反射鏡或透鏡)。繼而,這能夠改良該投影條統(tǒng)的光學(xué)性能。
此外,氣流引導(dǎo)件配置成引導(dǎo)所述氣流的至少一部分遠(yuǎn)離由所述襯底臺(tái)支撐的襯底。這與設(shè)置于投影系統(tǒng)與襯底臺(tái)之間的常規(guī)的氣鎖形成對(duì)比,在常規(guī)的氣鎖中,來自該投影系統(tǒng)的開口的主要?dú)饬鞅灰龑?dǎo)朝向襯底臺(tái)。相比于常規(guī)氣鎖的這一區(qū)別具有多個(gè)優(yōu)點(diǎn),如目前所論述。
在氣流從該開口傳遞經(jīng)過襯底和襯底臺(tái)的現(xiàn)有布置下,氣流將熱負(fù)荷遞送至襯底。繼而,這能夠?qū)е乱r底的熱變形,這對(duì)于所形成的圖像的品質(zhì)可能是不利的。
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